삼성, 8나노 M램 첫 개발…‘꿈의 메모리’ 주도권 선점

■ 코어파워 KOREA <1부> 10대 패권기술 키워라 ⑥ 넥스트 칩
전자 자성 활용 초저전력 메모리
공정 고도화 통해 속도 63% 높여
올해 양산…내년에는 5나노 도전

김윤수 기자

이석진 기자

입력2026-04-16 17:38

지면 1면

삼성전자(005930)가 전력 효율과 성능을 획기적으로 높일 수 있는 ‘꿈의 메모리’ 개발 경쟁에서 업계 최고 수준의 기술력을 확보했다. 전 세계적으로 인공지능(AI) 반도체 경쟁이 치열해지고 중국의 추격도 거센 상황에서 선제적 투자로 고대역폭메모리(HBM) 등 주력 메모리를 넘어 신기술 경쟁에서도 주도권을 선점했다는 평가가 나온다.

16일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부 연구진이 최근 세계 최고 권위의 반도체 학회 ‘국제고체회로학회(ISSCC) 2026’에서 8㎚(나노미터·10억분의 1m) 핀펫(FinFET) 공정을 적용한 내장형 자기저항메모리(M램) 구현에 성공하고 양산 수율을 달성했다고 밝혔다.

8㎚는 현재 업계에서 가장 앞선 M램 공정으로 평가된다. 8㎚ M램을 실제 제조한 뒤 성능을 검증한 연구 성과는 이번이 처음이다. 회사 연구진이 테스트용으로 만든 8㎚ M램의 성능을 검증한 결과 기존 14㎚ M램보다 쓰기 속도는 62.5% 빨라졌고 집적도 역시 ㎟당 19.94Mb(메가비트)로 14㎚보다 11.5% 높아진 것으로 나타났다. 이를 포함한 종합 성능 점수(FoM)는 4146점으로 52.9% 개선됐다.

M램은 전자가 가진 자성(자석의 성질)을 활용해 정보를 구현·저장하는 차세대 메모리다. 전기로 작동하는 D램과 달리 전원 없이도 정보를 유지할 수 있다. 이에 전력 소모를 크게 줄이고 낸드플래시처럼 영구적 정보 저장이 가능하다. 동시에 낸드보다 1000배 빠른 동작 속도로 D램과 맞먹는 성능을 낸다.

앞서 삼성전자는 2018년 28㎚ M램을 처음 양산한 후 2024년 14㎚, 올해 8㎚ M램 양산으로 기술을 고도화한다는 목표를 세웠다. 이번에 실제로 8㎚ M램 기술까지 확보하는 데 성공해 내년에는 5㎚ M램 양산 개시를 예정하고 있다. 대만 TSMC도 내년에 5㎚ M램 양산 준비 완료를 계획하고 있어 본격적인 M램 경쟁을 예고했다.

김윤수 기자