최태원 “하닉 캐파 5년내 두배로 확대”

■ 컴퓨텍스 2026서 밝혀
“새 팹 짓는데 최소 3년 이상 걸려
2030년까지 메모리 공급 부족”
삼성은 HBM5 시제품 첫 공개

타이베이=이석진 기자

타이베이=김윤수 기자

입력2026-06-02 17:41

수정2026-06-02 19:02

지면 1면

최태원 SK 회장이 2일(현지 시각) 대만 타이베이 난강전시관에서 열린 컴퓨텍스 2026에 차린 SK하이닉스 부스에서 한국 취재진과 인터뷰에 응하는 모습. SK하이닉스

최태원 SK그룹 회장이 “향후 5년 내 SK하이닉스의 생산능력(캐파)을 2배로 늘리겠다”며 인공지능(AI) 인프라 확대로 메모리반도체 부족이 심화하는 시장을 주도하겠다는 구상을 밝혔다. 삼성전자(005930)는 8세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM5 시제품을 최초로 공개하며 ‘기술 초격차’에 속도를 높였다.

최 회장은 2일 대만 타이베이 난강전시관에서 열린 ‘컴퓨텍스 2026’의 SK하이닉스 부스에서 기자들을 만나 “2030년까지 ‘메모리 쇼티지(공급 부족)’가 예상된다”면서 “향후 5년간 캐파를 두 배로 늘리겠다”고 말했다. 최 회장의 발언은 최대 고객사인 엔비디아가 대만 공급망을 통해 AI 가속기 ‘베라 루빈’의 생산능력을 2배 확대하겠다고 밝힌 것과 맥을 같이한다는 분석이다.

그는 이어 “요즘 새로운 팹을 짓는 데 최소 3년, 그린필드에서 시작하면 5년 이상이 걸린다”며 “메모리 병목현상을 극복해야 하는데 10년 단위의 장애물을 헤쳐나가야 한다”고 짚었다. 최 회장은 현장에서 폭스콘과 에이서 등 대만 주요 기업의 부스를 방문하며 협력 관계를 점검하기도 했다.

컴퓨텍스 2026에 삼성전자를 대표해 참석한 송재혁 반도체 부문 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 삼성디스플레이 부스에서 기자간담회를 열고 8세대 HBM 시제품을 최초로 선보였다. 송 CTO는 “HBM5에는 세계 최초로 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 파운드리 공정으로 만든 베이스다이와 발열을 잡는 히트패스블록(HPB)을 적용했다”고 밝혀 HBM 기술 고도화와 맞물려 삼성 파운드리 사업 활성화도 시사했다.

삼성전자는 올해 차세대 HBM에서 기술 초격차를 이끌고 있다. 올 2월 업계 최초로 HBM4 양산을 시작한 데 이어 지난달에는 HBM4E 샘플 역시 업계 최초로 출하한 바 있다. 송 CTO는 “가능한 모든 리소스에 확실히 투자하고 있다”며 HBM 기술 리딩의 배경을 설명했다.

이석진 기자