하이닉스, 80나노 DDR2 D램 인증 획득

하이닉스반도체는 업계 최초로 80나노 공정이적용된 DDR2 D램에 대해 미국 인텔사로부터 인증을 받았다고 13일 밝혔다.

인증 제품은 컴퓨터와 서버 등에 사용되는 80나노 512메가비트(Mb) DDR2 D램으로, 1.8V 동작전압에서 667Mbps와 800Mbps의 동작 속도를 구현할 수 있는 제품 등 2종류다.

하이닉스반도체는 이번 인증으로 제품의 성능은 물론 최첨단 반도체 제조 및 미세회로 공정기술에 대한 기술력을 입증하게 됐다면서 올해 2.4분기부터 인증 제품의양산에 돌입할 예정이라고 밝혔다.