키파운드리, 0.18㎛ 전력 반도체 新공정 가동…생산효율성↑

키파운드리 청주 공장 전경. 사진제공=키파운드리

키파운드리가 새로운 전력 반도체 생산 공정인 0.18마이크로미터(㎛) 30V ‘논-에피’ BCD(바이폴라-CMOS-DMOS)' 라인을 운영한다고 9일 밝혔다.

이 라인은 특수 반도체 생산을 위해 실리콘 위에 단결정 막을 쌓는 ‘에피택시 공정’을 없앤 것이 특징이다. 에피택시 BCD 공정을 적용했던 칩과 동일한 성능을 구현한다.



새로운 공정은 전력관리반도체(PMIC) 생산에 특화돼 있다. 해당 공정은 5~30V급 전압 소자를 지원한다. 에피택시 공정이 생략됐음에도, 현재 양산 적용 중인 0.18마이크론 BCD 공정 디지털 라이브러리·반도체 설계자산(IP)과 호환할 수 있는 것도 장점이다. 공정 시간을 줄이면서 호환성까지 높아 생산효율성이 증대됐다.

키파운드리는 공정 개발 단계에서부터 전력 반도체 팹리스 고객사와 협력했다. 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정(AEC-Q100) 그레이드 1 규격을 만족해 차량용 전력 반도체 제품에도 활용 가능하다.

이태종 키파운드리 대표는 “최근 전력 반도체 시장이 빠르게 성장하면서 높은 수준의 신뢰성을 갖추면서 간소화된 BCD 공정에 대한 파운드리 수요가 증가하고 있다”며 “앞으로 최적화한 BCD 공정을 개발할 것” 이라고 말했다.