삼성전자 반도체(DS) 부문이 D램·파운드리 분야 연구개발 조직 인사 개편을 단행했다. 연구개발 책임 인사 교체와 조직 세분화가 특징이다.
3일 업계에 따르면 삼성전자 DS 부문은 전략마케팅 조직에서 근무하던 황상준 부사장을 새로운 D램개발실장으로 임명했다. D램개발실 조직도 세분화했다. 기존에는 D램개발실 산하에 D램설계1팀, D램설계2팀, I·O팀, 선행개발팀으로 나뉘어 있었다. 그러나 D램개발실 아래 설계팀과 선행개발팀으로 분리하고 설계팀에는 3개 그룹을 뒀다. 설계팀장과 설계2그룹장은 오태영 부사장이 겸직한다. D램개발실은 삼성전자 DS 부문의 주력인 D램 차세대 제품을 연구하는 곳이다. D램개발실 인사를 단행한 것은 최근 좁혀진 경쟁사와의 기술 차이를 벌려 ‘초격차’ 전략을 유지하기 위한 판단으로 풀이된다.
파운드리사업부에서도 인사가 있었다. 신임 파운드리 최고기술책임자(CTO)로 기술개발실장이었던 정기태 파운드리사업부 부사장이 선임됐다. 정 CTO의 빈자리를 메울 인물로는 구자흠 파운드리기술개발실 부사장이 낙점됐다. 이들은 파운드리 1위인 TSMC와의 경쟁에서 우위에 설 수 있는 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 최첨단 공정 개발을 책임진다.
D램은 초격차 수성, 파운드리는 기술 역전 노린다
삼성전자 임원 인사와 조직 개편은 통상 연말인 12월께 이뤄진다. 하지만 정기 인사보다 5개월이나 앞당겨 조직 개편을 단행한 것은 상당히 이례적이라는 평가다. 그만큼 삼성전자의 반도체 선행 기술 개발이 다급하다는 신호로 볼 수 있는 대목이다.
특히 D램개발실에 특정된 ‘핀셋’ 인사와 조직 개편을 단행한 것은 주력인 D램 기술을 강화하겠다는 포석이다. 삼성전자는 세계 D램 시장에서 40% 이상의 압도적 점유율을 차지하는 회사다. 하지만 최근 기술 측면을 봤을 때 삼성전자와 경쟁사 간 격차가 상당히 줄어들었다는 평가가 주를 이룬다. 일례로 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 좁혀진 격차가 여실히 드러난다. 챗GPT 등 생성형 AI의 등장으로 주목되는 최신 HBM 시장에서 D램 시장 2위인 SK하이닉스가 주도권을 잡아가고 있다. 차세대 반도체 공정으로 주목 받는 극자외선(EUV) 공정에서도 SK하이닉스가 밀리지 않는다는 진단도 나온다. 과거 기술 ‘초격차’ 위상을 회복할 수 있는 새로운 해법이 필요한 상황이다.
파운드리 분야에서는 ‘역전’ 가능성을 높일 고급 기술이 절실하다. 삼성전자는 2019년 ‘2030년 시스템반도체 1위 비전’ 아래 최첨단 기술 개발과 고객사 확보에 매진했지만 TSMC와의 점유율 격차는 더욱 벌어지고 있는 실정이다. 세계 최초 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정 도입 등 다양한 시도에도 TSMC의 안정적인 기술력과 수율을 따라잡기 힘들다는 평가다. 전방위적인 기술 재정비와 혁신이 불가피하다는 목소리가 커지고 있다.
따라서 삼성전자는 반도체 시장의 우려를 불식시키고 현실적 문제를 타개하기 위한 극약 처방으로 조직 세분화, 리더급 인사 변화를 선택한 것으로 풀이된다. 한 업계 관계자는 “세계 반도체 매출 1위가 결코 기술력 선두를 보장하지 않고 미래의 위상을 결정지을 수 없다”며 “혁신적인 인사와 시스템 개선이 필요하다”고 진단했다.
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