중국 최대 메모리반도체 회사인 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 고대역폭메모리(HBM) 시장 진출을 노린다.
로이터통신은 25일 복수의 업계 관계자를 인용해 YMTC가 HBM을 포함한 D램 제조 분야로 사업을 확장할 계획이라고 보도했다.
한 소식통은 로이터에 YMTC가 우한에 건설 중인 신규 반도체 생산 시설의 일부를 D램 생산 라인으로 구축하는 것을 고려하고 있다고 설명했다. 중국의 기업 정보 관련 회사인 치차차(企査査)에 따르면 YMTC는 이달 초 우한에 세 번째 반도체 공장을 설립하기 위해 자본금 207억 위안(약 4조 669억 원) 규모의 신규 법인을 설립했다.
YMTC는 고급 반도체 패키징 기술인 ‘실리콘관통전극(TSV)’ 공정을 개발 중인 것으로 알려졌다. TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량·고대역폭을 구현하는 기술이다.
국영기업인 YMTC는 중국 최대 낸드플래시 제조사다. 메모리반도체는 비휘발성인 낸드플래시와 휘발성인 D램으로 나뉜다. HBM은 D램을 여러 개 쌓아서 만든 고부가가치 제품으로 현재 SK하이닉스·삼성전자, 미국의 마이크론 등 3개사만 제조하고 있다. 중국 화웨이는 최근 자체 HBM 개발 성공을 공식화했으며 YMTC의 경쟁사인 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 개발 단계에 있다. 로이터는 “미국이 지난해 12월 중국에 대한 HBM 수출통제를 확대한 후 중국 내 첨단 반도체 제조 역량을 강화하려는 긴박감이 커지고 있다는 점을 보여준다”고 분석했다.
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