日 엘피다, 25나노 디램 개발

일본 반도체 업체인 엘피다가 회로 폭을 25 나노미터(10억분의 1m)로 줄인 디램(DRAM)을 개발하는 데 성공했다.

2일 니혼게이자이신문은 이 같이 보도하고 엘피다 메모리가 7월부터 히가시히로시마(東廣島)시의 히로시마 공장에서 디램을 생산할 계획이라고 전했다.

신문은 지금까지 초미세 반도체칩 개발 경쟁에서는 삼성전자가 앞섰지만, 엘피다가 이를 뒤집었다고 평가했다.

25나노 디램의 기억용량은 2 기가바이트(20억 바이트)로 컴퓨터나 스마트폰에 쓰인다. 25나노 디램은 30나노 디램보다 작아서 반도체 원판(웨이퍼)당 반도체 칩 생산량이 늘어나며, 이에 따라 생산효율이 약 30% 향상될 전망이다.

엘피다는 올해 안에 4기가바이트 디램도 생산을 시작할 예정이라고 신문은 전했다.

디램은 최첨단 제품으로 1년에 수%씩 가격이 내려가기 때문에 개발 속도가 투자비 회수 여부에 직결되는 것으로 평가된다.

신문은 "엘피다가 30나노 디램 개발에선 삼성전자에 약 6개월 뒤졌지만 1년 전부터 기술개발 체제를 수정한 끝에 20나노 디램 개발에 앞설 수 있었다"고 분석했다.