하이닉스 신개념 메모리 Z램 개발나서

하이닉스반도체가 신개념 메모리인 Z램 상용화에 나선다. 하이닉스는 14일 스위스 메모리기술 개발업체인 이노베이티브실리콘사와 Z램 라이선스 계약을 체결했다고 밝혔다. 회사의 한 관계자는 “Z램은 커패시터 없이 트랜지스터로만 구성돼 제품 크기는 물론 생산비용까지 획기적으로 줄일 수 있는 차세대 메모리 반도체”라며 “두 회사는 연구인력을 공동 투입해 제품개발에 협력하기로 했다”고 말했다. Z램은 실리콘 온 인슐레이터 구조로 제작된 트랜지스터가 동작할 때 트랜지스터 내부에 불필요한 양전하가 쌓이는 단점을 역이용해 0과 1 상태를 표현하게 된다. 보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 커패시터로 이뤄져 있으며 커패시터가 전하를 담고 있으면 1, 전하를 담고 있지 않으면 0으로 처리되는 방식으로 데이터를 저장한다. 회사 관계자는 “Z램은 기억 소자가 차지하는 크기가 크게 줄고 구조도 간단해져 제품 미세화나 고용량화에도 유리할 뿐만 아니라 제작비용 또한 줄어드는 장점이 있다”며 “향후 반도체 산업계 내에서 제휴와 협력을 지속적으로 확대해 변화하는 시장상황에 적극 대응할 계획”이라고 설명했다.