하이닉스, 32메가 플래시 메모리 개발

3V·2V등 2종 내달 양산

하이닉스반도체는 6일 3V 저전압형, 2V 초저전압형등 32Mb 플래시메모리 2개 모델을 개발, 오는 7월부터 양산에 들어간다고 밝혔다.

이들 제품은 휴대폰 단말기, 네크워킹 시스템, 셋톱박스등의 프로그램을 저장하는데 쓰이는 'NOR' 형 제품으로 기존 16Mb 플래시메모리의 기능을 크게 개선한 것이라고 회사측은 설명했다.

또 2V 제품은 동작속도가 100나노초(㎱ㆍ1ns는 10억분의 1초)로 웹 검색, 음성인식등 최신 휴대폰의 기능을 효과적으로 지원해주며 특히 3V 제품은 동작속도가 70㎱로 32Mb 제품중 가장 빠르다고 하이닉스는 밝혔다.

이 회사 샘 영 플래시 메모리 담당 임원은 "이번 제품 출시로 기존의 2~8Mb 5V, 16Mb 3ㆍ2V 제품등과 더불어 다양한 포트폴리오를 구성, 경쟁업체에 비해 유리한 위치에 올라섰다"며 "플래시메모리 분야에서 내년까지 1억2,000만 달러의 매출을 올려 세계5위를 달성할 계획"이라고 밝혔다.

최형욱기자