삼성, 40나노급 DDR3 D램 세계 첫 양산

반도체 주력제품 교체나서… 시장 지배력 더 커질듯

해외와 2년 이상 기술격차

삼성전자가 세계 최초로 40나노급(1나노=10억분의 1m) 공정을 적용한 DDR3 D램에 양산에 돌입한다. 이번 양산으로 해외경쟁업체와의 기술격차를 2년 이상 벌릴 수 있게 됨에 따라 삼성전자의 세계시장 장악력이 더욱 커질 전망이다.

삼성전자는 이달말부터 세계 최초로 46나노(1나노=10억분의 1m) DDR3 D램(사진) 양산에 돌입한다고 21일 밝혔다. 이 D램은 2Gb 용량으로 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산을 시작한 50나노급에 비해 생산성이 60% 향상됐다.

1.35V로 동작전압에서도 기존 1.5V 제품보다 20% 정도 빠른 1.6Gbps(초당 1,600 메가비트)의 데이터 처리속도를 구현할 수 있다. 전력소모도 기존 DDR2 D램보다 적어 친환경적이다.

해외 경쟁업체들은 아직 40나노급 DDR3 D램 개발 단계에 머무르고 있다. 일본의 엘피다는 68나노급 DDR3 제품 생산에 그치고 있다. 이에 따라 해외 업체와는 최소 2년 이상의 기술 격차가 벌어진 것으로 파악된다.

삼성전자는 이 기회를 적극 활용해 주력 제품을 완전히 교체, 시장에서 독보적인 지위를 굳힌다는 구상이다. 삼성전자는 "최고의 친환경 솔루션으로 호평을 받은 50나노급 2Gb DDR3 D램보다고 성능 제품을 제공하게 돼 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다"고 설명했다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 DDR3 제품의 시장 비중은 올해 20% 수준에서 2012년 82%로 확대될 전망이다. 2Gb 용량의 DDR3는 전체 D램의 3분의 2까지 차지할 것으로 관측된다.

DDR3 D램을 독점 공급하면서 국내 업계의 수익성 또한 높아질 전망이다. 사실상 DDR3가 공급 부족 상태여서 가격이 꾸준한 오름세를 나타낼 가능성이 높기 때문이다.

인텔 등 글로벌 IT기업들은 이미 DDR3 기반의 컴퓨터 등 관련제품을 하반기부터 집중 출시할 예정으로 삼성전자와 하이닉스에 이 같은 사실을 통보한 바 있다.

40나노급 공정으로 전환하면 생산 원가가 30% 가량 절감돼 수익성 개선에도 크게 기여할 전망이다. 업계 관계자는 "국내 선두권 업체들이 올해 안으로 DDR3 제품 비중을 50%까지 확대하고 내년 상반기 중 90% 이상으로 높일 것으로 보인다"며 "주력 제품 교체에 따른 기술 격차 확대로 시장의 리더십을 더욱 강화할 수 있을 것"이라고 말했다.

삼성전자는 이와 함께 서버용 및 데스크톱ㆍ노트북 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급해 관련 시장을 확대할 계획이다. 회사 관계자는 "차별화된 고용량ㆍ고성능 D램 제품을 선행 개발해 업계 우위를 강화할 것"이라고 밝혔다.

한편 하이닉스는 3분기 중 1Gb DDR3 D램 양산에 돌입할 예정이다. DDR3의 초기 주력 제품 용량 면에서 삼성전자와 차별화 된 전략이다. 하이닉스는 2Gb 제품은 4분기에 양산을 시작한다.

업계의 다른 관계자는 "DDR3 기술을 확보하면 용량 조절은 어렵지 않다"면서 "양사의 초기 주력제품 전망에 약간의 차이가 있는 것 같다"고 내다봤다.