초절전 SD램 3분기 양산

하이닉스 반도체 "전력소모 60% 줄여"하이닉스반도체는 11일 전력소모를 60% 줄인 초저전력 SD램을 개발, 3ㆍ4분기부터 양산에 들어간다고 밝혔다.

이 제품은 회로선폭 0.18미크론(1미크론=100만분의 1미터)의 미세 가공기술을 적용한 128메가 SD램으로 기존 3V보다 낮은 2.5V에서 동작, 휴대기기 배터리 수명을 크게 늘릴 수 있다고 회사측은 설명했다.

하이닉스는 이 제품에 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 인증한 소비전력 절감규격인 'TCSR(온도에 따라 충전속도조절)', 'PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전)', 'DPD(사용중단시 D램 작동차단)'등 새로운 기능을 적용했다.

또 초소형 패키지 기술인 CSP(칩 스케일 패키지)을 채택해 기존 제품의 3분의 1로 크기를 줄일 수 있게 됐다. 하이닉스는 내년 상반기에는 256메가 제품도 생산할 계획이다.

하이닉스 관계자는 "초저전력 SD램은 차세대이동통신(IMT-2000) 단말기, 개인휴대단말기(PDA), 디지털카메라 등에 주로 활용될 것"이라며 "일반 SD램보다 3~4배 이상 가격이 비싸 수익성 제고에도 크게 기여할 전망"이라고 말했다.

조영주기자