[삼성, 70나노 4기가 반도체 개발] 인텔등 경쟁社에 기술 1년이상 추월

삼성전자의 `70나노 4기가` 플래시메모리 개발은 부동의 반도체 세계 1위인 인텔의 아성을 위협하는 대사건이다. 우선 기술에서 인텔을 1년 이상 앞질렀고, 매출에서도 추월이 멀지 않았다는 것이다.

또 급성장하는 플래시메모리 사업을 D램에 이은 `신수종 사업`으로 적극 육성하겠다는 삼성의 의지도 담고 있다.

◇`인텔 아성` 위협= 황창규 사장은 “이번 70나노 4기가 플래시메모리 개발은 경쟁업체를 1년 이상 앞선 것”이라고 말했다. 경쟁업체에 인텔이 포함되는 것은 물론이다.

업계 한 관계자는 “삼성전자가 세계적인 휴대폰 업체인 노키아와 계약을 맺는 등 인텔의 영역을 잠식하고 있는 반면, 인텔의 매출은 정체상태를 보이고 있다”며 “삼성은 올해 20억 달러 이상의 매출을 올려 인텔을 따돌리고 세계 1위로 도약할 수 있을 것”이라고 말했다.

삼성전자는 지난해 플래시메모리 매출 12억 달러로 인텔(19억달러)에 이어 플래시메모리 세계2위를 달렸으나, 올해 주력인 낸드(NANDㆍ데이터 저장형)플래시 생산을 133% 늘리고 노어(NORㆍ코드저장형)는 300만개에서 6,000만개로 증산하는 등 공격적인 투자를 앞세워 인텔을 근접하게 추격했다.

◇반도체 `신성장 이론` 입증 = 황창규 사장은 지난해 처음으로 반도체 메모리의 성능이 매 12개월마다 두 배로 향상된다는 `반도체 신성장 이론`을 주창했다.

이는 그 동안 반도체업계에서 불문율로 여겨왔던 `무어의 법칙`을 뒤집는 주장이었다. 인텔의 공동창업자인 무어는 70년대 “반도체의 성능이 매 18개월마다 배가된다”고 주장했고, 그의 주장은 수 십 년간 `법칙`으로 여겨졌다.

그러나 삼성전자가 펼쳐온 플래시메모리의 급성장은 `무어의 법칙`을 깨뜨렸고 급기야 이번 4기가 메모리 개발로 삼성전자의 `반도체 신성장론`이 새롭게 자리잡게 됐다.

삼성전자는 지난 99년 256메가 낸드 플래시 개발을 시작으로 2000년 512메가, 2001년 1기가, 2002년 2기가를 거쳐 올해 4기가 개발까지 성공해 4년 연속 2배씩 집적도를 높였다.

◇플래시를 `신수종사업`으로= 삼성전자는 플래시 메모리시장의 급성장에 주목, 이 사업을 D램에 이은 신수종사업으로 적극 육성할 계획이다. 삼성은 올들어 1기가 낸드 플래시로 3,000만개 이상의 칩을 판매했고 월 600만개 판매도 돌파했다. 2기가 낸드 플래시는 9월부터 세계 최초로 양산에 돌입했다. D램에 의존했던 과거 매출원을 다양화하는 데 성공한 셈이다.

황 사장은 “오는 2005년에는 플래시메모리 시장이 D램을 추월할 것”이라며 “삼성은 전체 메모리 생산에서 플래시의 비중을 35%까지 끌어올릴 계획”이라고 말했다.

삼성전자는 플래시사업 육성을 위해 지난해 D램 생산라인이었던 6, 7, 8라인을 플래시 라인으로 전환했고 지난 7월에는 화성 12라인의 90나노 12인치 웨이퍼 라인을 세계 최초로 가동, 플래시의 생산효율을 배가했다.

황창규 사장 인터뷰

황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 29일 기자간담회에서 “70나노 4기가 플래시메모리 개발은 혁명”이라면서 “이번 제품 개발로 2차원(리니지)에 머물렀던 반도체기술이 3차원으로 질적인 변화를 맞을 것”이라고 밝혔다.

-이번에 발표된 제품과 기술의 의미는.

▲70나노 4기가 낸드형 플래시메모리 개발은 반도체 저장매체 실용화 추세를 가속화해 디지털 미디어 시대의 도래를 촉진시킬 것이며 궁극적으로는 하드디스크 및 디지털 캠코더 테이프의 대체도 더욱 빨라질 것이다.

-삼성전자의 이익전망은.

▲자세히 밝힐 수 없다. 그러나 2ㆍ4분기보다 3ㆍ4분기가 훨씬 좋을 것이고, 4ㆍ4분기 역시 그 이전보다 나아질 것이다.

-플래시메모리가 시장에서 품귀현상을 빚고 있다는데.

▲플래시메모리는 현재 업계가 시장수요의 40%밖에는 충족시키지 못할 정도로 수요가 폭증하고 있다. 이 같은 수요 초과 현상은 해소될 기미가 현재로서는 전혀 없다.

-화성공장 증설 허가에 대비하고 있나.

▲정부가 조만간 증설을 허가할 것으로 보고 있다. 내년도 사업계획도 그에 맞게 짜고 있다.

<문성진기자 [e-mail]>