하이닉스, 48나노 낸드플래시 양산

하이닉스반도체가 세계 최초로 40나노급 16기가비트(Gb) 낸드플래시 반도체 양산에 들어간다. 40나노급 공정을 적용한 16Gb 낸드플래시 양산은 이번이 처음으로 현재 삼성전자는 51나노, 도시바는 56나노 공정으로 같은 메모리 용량의 낸드플래시를 생산하고 있다. 이와 별도로 삼성전자는 지난해 말 40나노급 공정을 이용한 32Gb 낸드플래시를 개발, 양산을 준비 중이다. 하이닉스는 4일 “내년 1월부터 48나노 공정을 적용한 16Gb 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시 양산을 시작할 예정”이라며 “최근 이 제품 개발을 마치고 이달 중 샘플을 글로벌 고객사에 공급할 것”이라고 밝혔다. 하이닉스는 경기 이천공장의 12인치 웨이퍼 공정인 M10과 현재 건설 중인 충북 청주 M11 라인에서 제품 양산에 나설 계획이다. 회사의 한 관계자는 “웨이퍼 기준으로 처음에는 수천장을 생산한 뒤 1ㆍ4분기 안에 월평균 1만5,000~2만장으로 생산량을 늘릴 방침”이라며 “우선 48나노 공정을 적용한 16Gb MLC 제품부터 내놓은 후 동일한 공정으로 생산되는 8Gb 싱글레벨셀(SLC) 제품도 선보일 것”이라고 말했다. 하이닉스는 이번 40나노급 양산으로 삼성전자에 비해 10%가량, 도시바보다는 20%가량 생산성이 높아질 것으로 기대하고 있다. 하이닉스 자체적으로는 생산량 기준으로 현재 양산 중인 60나노 제품과 57나노 제품과 비교하면 각각 90％와 60％ 이상 향상될 전망이다. 낸드플래시는 뮤직폰 등 모바일 기기와 하드디스크 대체 제품으로 떠오르는 SSD(Solid State Drive) 등 수요처가 갈수록 다양해지고 있는 메모리 반도체다. 또 반도체 공정은 미세화될수록, 즉 더 낮은 수치의 나노급 생산을 할수록 생산성이 높아져 경쟁우위에 서게 된다. 이에 따라 세계 반도체업계에서는 양산 공정의 미세화 경쟁이 치열하게 벌어지고 있다. 삼성전자의 한 관계자는 “하이닉스는 48나노 공정으로 16Gb 제품을 양산할 예정이지만 삼성전자는 내년 하반기께 이보다 메모리 용량이 두배나 큰 32Gb 제품을 세계 최초로 42나노 공정을 적용해 양산할 방침”이라고 설명했다. 삼성전자 외에 다른 업체들은 40나노급 32Gb 제품 양산 계획을 세우지 못하고 있는 것으로 알려졌다. 한편 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 3ㆍ4분기 삼성전자는 낸드플래시 매출 16억7,500만달러로 40.2％의 점유율을 기록, 1위를 지켰다. 일본의 도시바는 27.2％로 2위를 차지했으며 하이닉스는 8억600만달러의 매출을 올려 점유율 19.3％로 3위를 기록했다. 하이닉스는 지난해 동기보다 43％의 매출신장을 해 2위 도시바와의 격차를 크게 줄였다.