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국내 연구진이 세계에서 가장 작은 8나노미터급 플래시메모리 소자 개발에 성공했다. 8나노미터는 성인 머리카락 두께의 1만2,000분의1에 해당한다. 한국과학기술원(KAIST)은 13일 전자전산학과 최양규(사진) 교수팀과 나노종합팹센터가 실리콘 나노선(silicon nanowire)과 차세대 소자인 ‘소노스(SONOS)’ 기술을 결합해 세계에서 가장 작은 8나노미터(nm)급 3차원 차세대 비휘발성 플래시메모리 소자를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 이번에 개발된 3차원 메모리 소자는 전자의 이동통로인 실리콘 나노선 위에 산화막-질화막-산화막을 차례로 쌓아 올려 형성된 게이트 절연막과 실리콘 나노선을 게이트가 3차원으로 감싸는 새로운 형태의 비휘발성 메모리 구조다. 이번 성과는 기존 비휘발성 메모리 기술의 한계를 일보 진전시킨 것으로 매년 메모리 용량이 두 배씩 증가한다는 ‘황의 법칙’이 10나노미터급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성을 제시했다고 연구팀은 설명했다. 최 교수는 “이번 공동 연구개발로 얻은 원천기술과 응용기술은 공동 개발 완료 후 실용ㆍ상용화할 것”이라며 “특히 관련 기술 정보와 연구인력ㆍ노하우 등을 산업체에 제공, 우리나라가 세계 반도체 시장에서 유리한 입지를 확보하는 데 기여할 수 있도록 할 계획”이라고 말했다. 연구팀은 오는 6월 일본 교토에서 개막되는 ‘초고집적회로 국제학회’에서 이번 연구 성과를 발표할 예정이다.
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