삼성전자, 차세대 고속 낸드플래시 개발

삼성전자는 기존의 범용 낸드플래시보다 데이터 처리속도가 10배 빠른 ‘Toggle DDR(Double Data Rate) 2.0’ 방식의 차세대 고속 낸드플래시 기술을 개발하고 내년부터 양산에 돌입한다고 22일 밝혔다. 삼성전자는 아울러 'Toggle DDR 2.0'이 시장 표준으로 자리잡을 수 있도록 세계반도체표준협의기구(JEDEC) 표준등록을 추진 중이다.

'Toggle DDR 2.0' 방식의 낸드플래시는 기존 SDR(Single Data Rate) 방식의 범용 낸드플래시의 데이터 처리속도인 40Mbps(Megabit per Second)에 비해서는 10배, 133Mbps인 'Toggle DDR 1.0' 방식의 고속 낸드플래시에 비해서는 3배 빠르다.

전동수 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀의 부사장은 “앞으로 고속 낸드플래시는 4세대 스마트폰과 태블릿 PC, SSD 등 여러 제품에 탑재되는 등 수요가 크게 증가할 것”이라고 말했다.