DB하이텍, 신규 RF칩 공정으로 5G 시장 공략

DB하이텍은 신규 통신 칩 제조 공정 기술로 5G 시장을 공략한다고 12일 밝혔다.

회사는 130 ? 110나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정 기반 고주파(RF) SOI(실리콘온인슐레이터)와 RF HRS(고저항서브스트레이트) 공정을 확보하여 RF 프론트엔드 부품 사업 확대에 본격적으로 나섰다.

RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품이다. 이 제품은 IT 기기간 송·수신을 담당한다. 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 등 통신 분야에서 다양하게 활용되고 있다.

보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.



5G 통신 발전으로 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데, RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 높아지고 있다.

RF프론트엔드 분야에서 DB하이텍이 겨냥하는 제품은 스위치와 저잡음증폭기(LNA)다. 스위치는 주파수를 켜거나 끄는 역할을 하고, LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 핵심 부품이다.

DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다. 130㎚ 기술을 기반으로 한 RF-SOI 공정은 올 상반기 내 150㎓ 이상 LNA 제품을 지원할 수 있도록 준비 중이다.

가격 경쟁력이 장점인 110㎚ 기반 RF HRS 공정 역시 올 상반기 안에 150GHz 이상 LNA 제품을 지원할 수 있도록 개발 중이다. DB하이텍은 팹리스 고객들이 RF프론트엔드 시장에 적기에 진입할 수 있도록 고객 지원에 적극적으로 나서고 있다.

DB하이텍 관계자는 "고객사 개발비 절감을 위해 분기 별로 멀티프로젝트웨이퍼(MPW)를 운영하고 있다"고 밝혔다.