미국 메모리반도체 회사 마이크론테크놀로지가 삼성전자·SK하이닉스보다 먼저 232단 낸드플래시 양산 소식을 알렸다. 지난해 10나노급 4세대(1a) D램, 176단 낸드플래시에 이어 올해 200단 이상 낸드 제품까지 국내 업체보다 앞서 양산하며 메모리 간격을 좁히고 있다.
27일 마이크론테크놀로지는 전작인 176단 낸드플래시보다 데이터 처리 속도가 50% 빠른 232단 낸드플래시를 세계에서 처음으로 양산한다고 발표했다. 기존 대비 저장 공간을 56층 더 확보하면서도 패키징 면적은 28% 줄인 것이 돋보인다.
이번 신제품은 낸드플래시 층을 두 번에 나눠 쌓고 합치는 ‘더블스택’ 공정을 적용했다. 칩의 주변 회로를 데이터 저장 공간 아래에 배치해 칩 면적 축소를 노리는 ‘CuA(CMOS 언더 어레이)’ 기술을 탑재한 것도 특징이다.
스콧 드보어 마이크론 최고기술책임자(CTO)는 “이번 신제품은 향후 업계의 200단 이상 낸드 개발의 분수령이 될 것”이라며 “우리의 혁신적인 기술은 176단 낸드 양산에서 얻은 우수한 칩 구조와 소재를 토대로 만들었다”며 자신감을 드러냈다.
마이크론의 232단 낸드플래시 출시는 업계 1위인 삼성전자보다 먼저 첨단 칩을 생산해냈다는 점에서 큰 의미가 있다.
마이크론은 세계 낸드 시장에서 10%의 점유율을 차지하는 회사다. 선두인 삼성전자, 일본 기옥시아, SK하이닉스, 미국 웨스턴디지털에 이은 5위 업체다. 이 회사의 기술 상승세는 시장점유율에 비해 상당히 매섭다. 지난해에는 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 176단 낸드플래시 양산을 발표해 세계를 깜짝 놀라게 했다. 현재 SK하이닉스는 238단 낸드플래시를 개발 중이다.
3위를 기록 중인 D램 분야에서도 마찬가지다. 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 D램 시장 매출의 70%를 차지하는 상황에서 마이크론은 지난해 1a D램을 세계에서 처음으로 공개했다. 또 5월 주주들을 대상으로 한 행사에서는 올해 안에 10나노 5세대(1b) D램 제품도 양산하겠다고 예고하며 한국의 메모리반도체 ‘초격차’를 수시로 위협하고 있다.
최근에는 국내 업체들이 먼저 도입한 극자외선(EUV) 기술을 D램에 적용하기 위한 연구도 활발하게 진행되는 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 “매출과 양산 규모가 앞선다고 해서 반도체 기술까지 선도할 수 있는 시대는 지났다고 본다”며 “반도체 초미세화가 갈수록 어려워지면서 경쟁사 간 기술 격차가 빠르게 좁혀지고 있다”고 말했다.
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