국내 출연연?대학 공동연구팀이 세계 최초로 이차원 위상 자성체 물질의 스핀의존 전자구조를 넓은 에너지 영역에서 측정하는 데 성공했다.
한국표준과학연구원(KRISS)은 KRISS 저차원소자물질연구팀이 세종대, 포항공과대(POSTECH), 서울대, 기초과학연구원(IBS), 한국기초과학지원연구원 등과 그동안 이론적 예측에 머물러 왔던 이차원 위상 자성체 물질의 고에너지 스핀의존 전자구조를 세계 최초로 직접 측정했다고 23일 밝혔다.
이차원 위상 자성체 물질은 미래 양자정보?메모리소자의 핵심 소재로 주목받는 물질이다. 자성체의 물성을 파악하기 위해서는 이를 좌우하는 전자의 스핀 정보를 정확히 측정해야 한다.
지금까지는 전자의 스핀 정보는 아주 작은 에너지 영역에서만 제한적으로 측정 가능해 상당 부분은 이론적 예측 연구에 의존해야 했다. 전자의 스핀 정보가 외부의 물리적?화학적 환경에 민감하게 반응해 작은 변화에도 쉽게 손실되기 때문이다.
연구팀은 스핀의존 전자터널링분광법을 이용해 이차원 위상 강자성체 물질인 Fe3GeTe2(FGT)의 고에너지 스핀의존 전자구조를 직접 측정하고 이를 이론적 예측값과 비교·분석해 정확성을 검증했다. FGT는 이차원 상태에서도 자성과 도체성을 띠는 양자위상 물질로 차세대 양자스핀 및 정보소자 구현의 핵심 소재로 주목받고 있다.
전자터널링분광법은 전자터널링 장벽을 이용해 고체 물질의 전자구조를 에너지 변화에 따라 측정하는 기법이다. 기존에 이 기법에 사용된 터널접합 구조는 물리적?화학적 불안정성이 높아 고에너지 영역에서 스핀 정보를 측정하기 어려웠다.
이번 연구에서는 외부 환경변화에 안정적인 박막소재를 FGT와 반데르발스 결합 방식으로 구성해 스핀 정보의 손실 없이 고에너지 스핀의존 전자구조 측정이 가능했다.
이번에 개발한 이차원 자성체의 스핀 물성 측정 및 분석 기술은 차세대 양자위상?양자정보 소재 개발을 위한 기초 기술로 널리 활용될 수 있다. 또한 실험에 사용된 무결점 반데르발스 결합 소자 구성은 양자 메모리, 확률적 변이 메모리 등의 차세대 스핀?초전도 양자 소자에도 응용 가능하다.
KRISS 저차원소자물질연구팀 정수용 책임연구원은 “이번 성과는 국내 양자소재 전문가들이 결집해 달성한 쾌거”라며 “그간의 이론적 예측 연구에 응답할 수 있는 측정결과를 제시해, 차세대 양자소재 실용화 연구에 새로운 가능성을 보여줬다”고 밝혔다.
이번 연구의 성과는 소재 분야의 세계적인 학술지인 ‘네이처 머티리얼즈’ 8월 5일 온라인 게재됐다.
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