삼성전자가 300단 이상 낸드플래시 공정에서 ‘초격차’ 적층(쌓기) 기술로 1위 지키기에 도전한다. 생산성과 원가 경쟁력에서 타사들을 압도해 불황 이후 시장 회복 국면에서 리더십을 가져간다는 전략이다.
14일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 내년에 본격 양산할 9세대 300단 이상 V낸드 칩에도 ‘더블스택’ 기술을 적용한다. 더블스택 기술은 낸드플래시를 두 번에 나눠 제작한 뒤 결합하는 방법이다. 삼성전자는 7세대 176단 V낸드부터 더블스택을 적용했다.
경쟁사인 SK하이닉스는 최근 2025년 양산 예정인 321단 낸드플래시 샘플 칩을 업계 1위 삼성전자보다 먼저 공개하면서 업계를 깜짝 놀라게 했다. 다만 삼성전자와 달리 이 칩은 각기 다른 세 개의 칩을 만든 뒤 세로로 잇는 ‘트리플스택’ 방식이 적용된 것으로 알려졌다. 이를테면 120단·110단·91단 낸드를 따로 만들어 하나의 칩으로 이어 붙이는 것이다.
더블스택과 트리플스택의 차이는 크다. 특히 생산성과 원가에서 확실한 차이를 보인다. 두 번의 결합 방식으로 칩을 만들 때가 세 번에 걸쳐 제작할 때보다 공정 수와 각종 원자재 가격에서 압도적 우위를 차지할 수 있기 때문이다.
삼성전자는 9세대 V낸드 이후인 10세대 낸드부터 SK하이닉스가 적용하는 트리플스택을 도입하겠는 내부 로드맵을 마련했다. 트리플스택 기술에서도 원가 경쟁력을 위해 도쿄일렉트론(TEL) 등 글로벌 반도체 장비 파트너와 긴밀하게 기술 협력을 진행하는 것으로 알려졌다.
삼성전자는 2013년 업계 처음으로 낸드플래시를 세로로 쌓아 올리는 기술을 양산에 적용한 뒤 매출과 기술력 면에서 세계 시장 1위를 놓친 적이 없다. 한 업계 관계자는 “스택 공정 수를 줄일수록 성능이나 생산성 모두 상당한 경쟁력을 가질 수 있다”며 “올해 극심한 메모리 불황 이후 내년부터 찾아올 호황에서 확실한 1위로 자리매김하겠다는 전략”이라고 설명했다.
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