|
|
삼성전자가 화성캠퍼스 부지에 비메모리 반도체 라인을 건설한다. 이에 따라 삼성전자의 반도체 라인은 메모리 라인 수보다 비메모리 라인이 더 많아져 반도체 사업의 포트폴리오가 비메모리 중심으로 급속히 재편될 것으로 전망된다.
삼성전자는 7일 화성캠퍼스에 2조2,500억원을 투자해 비메모리 라인 1기를 건설할 예정이라고 밝혔다. 이달 내에 공사에 돌입해 오는 2013년 말 완공될 예정이다. 삼성전자의 반도체 생산 라인은 중국의 낸드플래시 메모리 라인 건설과 화성의 비메모리 라인 투자 결정까지 포함하게 되면 전체 19개에 이르게 되고 이중 비메모리 라인은 전체 10개에 이른다.
이번 신규라인은 300㎜ 웨이퍼 라인으로 삼성전자는 20나노와 14나노 공정을 통해 모바일 애플리케이션프로세서(AP)를 생산할 계획이다. 우남성 삼성전자 시스템LSI사업부 사장은 "신규 라인 건설을 통해 글로벌 정보기술(IT) 업체의 수요 증가에 대응하고 고객 지원을 강화해나갈 계획"이라며 "최근 기흥의 9라인과 14라인 등을 메모리에서 비메모리로 전환한 후에도 수요가 늘어난 데 따른 조치"라고 설명했다.
삼성전자가 이처럼 비메모리 반도체 분야를 강화하는 방향으로 반도체 사업을 재편하고 나선 것은 우선 급속히 늘어나고 있는 시스템반도체 수요에 적극 대응하기 위한 전략으로 풀이된다. 시장조사기관 가트너에 따르면 스마트폰 및 태블릿PC용 시스템반도체 시장은 ▦2011년 234억달러 ▦2012년 312억달러 ▦2013년 401억달러 ▦2014년 469억달러 ▦2015년 540억달러 ▦2016년 594억달러 규모로 증가할 것으로 전망된다. 향후 5년간 연평균 성장률이 20%를 넘는다는 관측인 셈이다.
삼성전자는 이번 신규라인 건설을 통해 AP와 통신칩 생산에 박차를 가할 것으로 보인다. 업계에서는 2조2,500억원을 투자한 시스템 반도체 라인이 본격 가동되면 연간 매출 6조원을 거둘 수 있을 것으로 보고 있다. 영업이익을 20%로 산정한다면 2년 만에 투자비를 건질 수 있다는 계산이 나온다.
특히 삼성전자가 건설한 반도체 생산라인이 20나노와 14나노 공정이라는 점도 주목할 대목이다. 경쟁업체들은 28나노조차도 수율을 내는 데 어려움을 겪고 있는 상황에서 20나노와 14나노 공정을 표방한 것은 굉장히 공격적인 조치라는 게 업계의 중론이다. 업계의 한 관계자는 "20나노ㆍ14나노 공정을 통해 최대 효율을 노리는 것으로 보인다"며 "이번 신규라인은 규모도 업계 최대 수준"이라고 말했다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
