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국내 연구진이 1나노미터(10억분의 1미터)보다 작은 반도체를 실리콘 기판에 대면적으로 제작할 수 있는 기술을 개발했다. 이번 연구 결과는 앞으로 국내 실리콘 반도체 기반 산업이 지속 발전하는 데 힘을 보탤 것으로 보인다.
안종렬(사진) 성균관대 물리학과 교수와 송인경 박사는 9일 실리콘 기판 위에 서로 다른 특성을 지닌 1나노미터 이하의 금속선을 반복적으로 배열하는데 성공했다고 밝혔다. 이로써 1나노미터는 물론, 실리콘 원자 크기에 해당하는 1옹스트롬(100억분의 1미터) 단위에서도 실리콘 반도체를 기판 사이즈로 제작할 수 있는 길이 열렸다. 그동안 관련 업계에서 나노미터 크기에 적용되는 현상들이 원자 크기에서도 동일하게 적용될 수 있는지 미지수로 남아 있었다.
연구팀의 이번 성과는 국내 반도체 기반 산업의 기술적 우위를 한동안 더 이어나갈 수 있게 되는 밑천이 될 전망이다. 안 교수는“이번 연구결과를 통해 대면적 실리콘 반도체 제작이 원자 수준에서도 실현될 수 있을 것으로 기대한다”고 말했다.
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