삼성전자 반도체에 7,868억 신규 투자

낸드플래시·D램 생산 확대위해

삼성전자가 낸드플래시 및 D램 반도체 생산 확대를 위해 7,868억원을 신규 투자한다.

삼성전자는 19일 경기도 기흥에 위치한 300㎜ 플래시메모리 전용라인인 14라인의 생산능력을 확대하고 화성에 위치한 D램 라인의 공정을 개선하기 위해 7,868억원을 투자한다고 밝혔다.

삼성전자는 디지털카메라ㆍMP3플레이어 등 플래시메모리 적용 제품의 수요가 급팽창함에 따라 지난 7월부터 플래시메모리 전용라인인 14라인을 가동해왔다. 이번 신규투자는 최근 인텔ㆍ마이크론 등 해외 반도체업체들이 낸드플래시 메모리 생산을 위해 합작사를 설립하기로 하는 등 삼성전자의 뒤를 바짝 추격하는 데 대한 대응 차원으로도 풀이된다.

삼성전자의 한 관계자는 “플래시메모리 수요가 앞으로도 지속적으로 확대될 것으로 전망돼 14라인의 플래시메모리 생산능력을 더욱 확대하기로 했다”며 “D램도 수요에 탄력적으로 대응하기 위해 내년에 기존 라인을 개선하겠다”고 말했다.