집적도 1만배 향상, 크기는 최소

한·미 공동연구팀이 반도체 집적도를 최고 1만배까지 높일 수 있는 세계 최소형 탄소 나노튜브 트렌지스터를 만들었다.서울대 물리학과 임지순 교수팀과 미국 버클리 소재 캘리포니아대(U.C.BERKELEY)물리학과 마이클S.퓨러 교수팀은 과학전문지 '사시언스'(21일자)에 발표한 논문에서 10나노미커(G:10억분의 1M)크기의 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제작하는데 성공했다고 밝혔다.

임교수는 탄소나노튜브를 집자현으로 배열하면 탄소나노튜브가 겹치는 부분이 트랜지스터 기능을 한다는 것을 이론적으로 입증했으며 미국 연구팀은 이를 바탕으로 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작했다.

이 연구팀은 두 개의 탄소나노튜브를 십자모양으로 서로 배열할때 생기는 10 평방나노미터 정도의 겹치는 부분이 완벽한 트랜지스터 성능을 발휘할 수 있다는 것을 실험으로 증명했다.

10평방나노미터는 1㎠의 1조분의 1에 해당하는 넓이로 이 트랜지스터를 산업화하는데 성공하면 현재 상용화된 최첨단 반도체인 256KD램보다 집적도가 1만배 높은 반도체를 만들수 있다.

임교수는 "실리콘과 금속을 이용한 현재의 반도체는 앞으로 10년 이내에 한계에 도달할 것"이라며 "탄소나노튜브는 아직 상용화가 어렵긴 하지만 실리콘 반도체의 뒤를 이을 수 있는 미래기술"이라고 말했다.

박현욱 기자[e-mail]

입력시간 2000/04/21 17:34