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한국표준과학연구원 나노측정센터 김경중 박사는 4일 나노미터(10억분의 1ｍ) 이하의 반도체 산화막 두께를 정밀하게 측정하는 기술을 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. 새로 개발한 기술은 대표적 표면분석법인 ‘엑스선광전자분광법(XPS)’과 절대두께 측정법인 ‘고분해능 투과 전자현미경(TEM)’의 장점을 각각 활용한 것으로 나노미터 이하의 초박막 두께에 대한 정확하고 재현성있는 측정법을 확립했다. 또한 박막 두께 측정용 인증 표준물질을 함께 개발, 국제도량형위원회의 국제비교(KCㆍKey Comparison) 실험에서 나노미터 이산화규소(SiO2) 박막의 두께 측정에서 세계 최고 수준으로 평가됐다고 연구팀은 전했다. 새 측정법은 측정과학 분야의 권위있는 국제학술지인 ‘메트롤로지아(Metrologia)’ 최신호에도 소개됐다. 나노미터 이하의 산화막에 대한 정확한 측정은 최소 크기의 반도체 소자를 개발하는 데 필수적인 기술이다. 표준연은 새로 개발한 측정 기술을 삼성전자ㆍ하이닉스 등 국내 반도체 업체에 적용할 수 있도록 지원했다. 김경중 박사는 “그동안 나노미터급 산화막을 측정하는 기술 기준을 놓고 미국ㆍ일본 등 세계 각국이 의견차를 보여 왔으나 이번에 개발된 기술로 국제적 합의를 도출할 수 있게 됐다”며 “차세대 반도체 산업을 위한 필수 기반기술로 활용될 것으로 기대된다”고 말했다.
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