전체메뉴

검색
팝업창 닫기
이메일보내기

저전력 128M 플래시메모리

삼성전자는 14일 1.8V 저전력의 128메가 NAND(데이터저장용)형 플래시메모리 제품 개발에 성공했다고 밝혔다.이 제품은 2.7~5.5V 수준이던 기존 제품들의 전력소비를 크게 낮춘 것으로 각종 휴대용 디지털기기에 탑재가 용이하도록 CSP(Chip Scale Package)로 설계돼 PDAㆍ디지털캠코더ㆍMP3ㆍ셋톱박스등에 사용이 확대될 것으로 예상된다. 또 저전력 NAND형 플래시메모리와 D램을 연계해 사용하면 기존 휴대전화등에 주로 사용되던 고가의 NOR(코드저장용)형 플래시메모리보다 50%이상 가격이 저렴해NOR 플래시메모리 시장을 급속히 대체할 것으로 삼성전자는 전망했다. 이 제품은 NAND형 플래시메모리의 단점인 랜덤 액세스(Random Access) 기능을 D램으로 대체하는 구조를 적용, NOR 플래시메모리 보다 속도를 빠르게 개선했다는 점에 의의가 있다고 삼성전자는 설명했다. 삼성전자는 현재 전세계 NAND형 플래시메모리 시장의 약 35%를 점유하고 있으며이번에 출시한 128메가 제품을 6월말부터 본격 양산한뒤 3ㆍ4분기부터는 256메가 제품의 조기양산에 돌입할 계획이다. 조영주기자

< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
주소 : 서울특별시 종로구 율곡로 6 트윈트리타워 B동 14~16층 대표전화 : 02) 724-8600
상호 : 서울경제신문사업자번호 : 208-81-10310대표자 : 손동영등록번호 : 서울 가 00224등록일자 : 1988.05.13
인터넷신문 등록번호 : 서울 아04065 등록일자 : 2016.04.26발행일자 : 2016.04.01발행 ·편집인 : 손동영청소년보호책임자 : 신한수
서울경제의 모든 콘텐트는 저작권법의 보호를 받는 바, 무단 전재·복사·배포 등은 법적 제재를 받을 수 있습니다.
Copyright ⓒ Sedaily, All right reserved

서울경제를 팔로우하세요!

서울경제신문

텔레그램 뉴스채널

서울경제 1q60