글로벌 반도체 공급난으로 삼성전자가 내년 상반기 중 세계 최초로 3㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 초미세 공정을 적용한 파운드리(반도체 위탁 생산) 양산에 나선다. 내년 하반기 양산을 예고한 대만 TSMC보다 한발 앞선 것으로 급증하는 수요에 선제 대응해 오는 2030년 시스템 반도체 세계 1위 목표 달성에 성큼 다가간다는 전략으로 풀이된다. 삼성전자는 6일(현지 시간) 미국에서 ‘또 하나의 차원을 더하다’를 주제로 온라인으로 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 이 같은 파운드리 차세대 공정 양산 계획을 공개했다. 삼성전자는 내년 상반기 중 3나노 파운드리 공정을 양산한다고 밝혔다. 세계 1위 TSMC는 이르면 내년 7월 양산할 것으로 알려졌다. 삼성전자는 2023년 3나노 공정을 업그레이드한 2세대 공정을 선보인 뒤 2025년에는 2나노 양산에 돌입한다는 구체적인 청사진도 내놓았다. 디지털 전환에 따른 반도체 공급 부족 상황에서 세계 파운드리 업체들이 잇단 증설 계획을 발표한 가운데 삼성전자가 초격차 기술력을 앞세워 시장 선점에 나선 것으로 풀이된다.
특히 주목할 점은 삼성전자가 반도체 전류를 조절하는 트랜지스터 분야에서 경쟁사 대비 앞선 기술을 적용했다는 것이다. 삼성전자의 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 기술은 경쟁사가 쓰는 기존 핀펫(FinFET)보다 성능과 효율이 뛰어나다는 평가를 받는다. 2나노 공정의 경우 TSMC나 인텔 등이 삼성전자보다 1년 빠른 2024년 양산을 외쳤는데 GAA 기술력을 고려할 때 삼성전자가 2나노에 더 일찍 안착할 수 있다는 분석도 나온다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 “대규모 투자로 생산 역량을 확대하고 GAA 등 첨단 미세 공정뿐 아니라 기존 공정에서도 기술 혁신을 이어갈 것”이라며 “고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공하겠다”고 밝혔다.
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