삼성전자가 업계 최초로 극자외선(EUV)을 활용한 12㎚(나노미터·10억분의 1m)급 D램을 개발을 완료하고 내년 양산을 시작한다. 글로벌 정보기술(IT) 시장 성장세 둔화로 D램 수요 역시 위축되는 가운데 기술 ‘초격차’로 시장 1위와 시장 지배력을 굳건히 지켜간다는 전략이다. 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문은 22일 글로벌 전략회의를 열고 내년 들이닥칠 불황을 타개할 방법을 모색한다.
21일 삼성전자는 12나노급 공정 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발을 완료했다고 밝혔다. 지난해 10월 14나노급 D램을 생산한 지 1년 2개월 만에 새로운 제품을 개발해낸 것이다.
삼성전자는 이번 제품의 다수 층에 첨단 EUV 기술을 적용해 세계 최고 수준의 연산장치(트랜지스터) 집적도를 구현했다. 생산성 역시 기존보다 약 20% 올랐다. 또 전기 알갱이(전하)를 저장하는 커패시터에 신소재를 적용해 용량이 높아졌다.
DDR5 규격을 충족하는 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB(기가바이트) 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. DDR5 D램 시대는 내년 1월 개화할 것으로 예상된다. 세계 유력 중앙처리장치(CPU) 회사들이 DDR5가 호환되는 칩을 양산하기 시작하면서다. 삼성전자는 2026년 전체 D램의 46%를 차지할 것으로 예상되는 DDR5 D램 시장에서 세계 최고 수준의 기술로 일찌감치 우위를 점하는 전략을 취할 것으로 보인다. 삼성전자는 2023년부터 12나노급 D램을 데이터센터, 인공지능(AI), 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다. 이미 세계 최고의 반도체 설계 회사 AMD와도 호환성 검증을 마쳤다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며 “뛰어난 성능과 전력 효율을 바탕으로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자 DS 부문은 22일 하루 동안 글로벌 전략회의를 개최한다. 삼성전자 글로벌 전략회의는 매년 6월과 12월 두 차례 국내외 삼성전자 임원급 인사들이 모여 사업 부문별·지역별로 현안을 공유하고 내년 사업 목표와 영업 전략 등에 대한 의견을 나누는 자리다. 완성품 사업을 영위하는 디바이스경험(DX) 부문은 15일과 16일 이 회의를 마쳤고 DS 부문은 경계현 대표이사의 주재로 개최된다.
삼성전자 DS 부문의 이번 글로벌 전략회의 화두는 내년 반도체 불황기 타개 방안이 될 것으로 보인다. 인플레이션 심화, 고금리 현상에 따른 IT 수요 둔화로 세계 반도체 시장에도 적신호가 들어오면서 내년 삼성전자 반도체 실적도 하락할 것으로 전망된다. 골드만삭스는 올 4분기 삼성전자 반도체 부문 영업이익 전망치를 기존 2조 6000억 원에서 1조 5000억 원으로 42%나 내리는 등 시장 곳곳에서 암울한 관측이 이어지고 있다.
이에 D램, 낸드플래시 사업을 담당하는 메모리사업부는 내년 시황을 철저하게 점검하고 각종 투자·개발 방안을 수립할 것으로 예상된다. 메모리사업부는 올 10월부터 시장 악화와 경쟁사 투자 감축에도 인위적인 감산 없이 꾸준한 투자를 지속하겠다는 자신감을 내비치고 있다. 파운드리 사업부 역시 설비투자와 기술 개발, 핵심 고객사 확보 전략을 위해 머리를 맞댈 것으로 예측된다. 파운드리 사업부는 6월 업계 최초로 3나노 공정 양산을 시작하고 고객사와 협력을 타진하고 있다.
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
hr@sedaily.com
