삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660) 등이 주도권을 쥐고 있는 메모리 반도체조차도 중국의 추격이 매섭다. 중국 정부는 메모리 반도체 분야에서 자급 체제를 구축해 해외 의존도를 낮추겠다는 목표로 막대한 자금을 쏟아붓고 있다. 그렇게 길러낸 메모리 반도체 기업이 자국산 제조 장비로 첨단 반도체 양산에 성공하는 등 기술 수준도 빠르게 향상하는 상황이다.
20일 업계에 따르면 메모리 반도체 가운데 낸드의 경우 중국 업체들과 미국·한국 등 글로벌 선두 기업과의 기술 격차는 2년 안팎까지 좁혀졌다. 업계의 한 관계자는 “D램에서는 여전히 5년 이상 기술 격차가 유지되고 있지만 낸드의 경우 D램보다 기술 장벽이 낮아 상대적으로 빠른 추격이 이어지고 있다”며 “시장 경쟁력이 있다고 보기는 어렵지만 막대한 지원을 기반으로 기술 추격 속도가 빨라진 것은 사실”이라고 말했다.
중국 최대 메모리 반도체 회사 양쯔메모리(YMTC)가 지난해 말 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 7세대(232단) 3D 낸드플래시의 양산을 시작한 것이 대표적이다. 지난해 7월 YMTC가 176단을 건너뛰고 232단 양산에 도전한다고 선언했을 때 시장에서는 200단대 낸드 개발은 불가능할 것이라는 반응이 나왔지만 1년 만에 양산에 성공한 것이다. 중국 정부와 국영 투자사들이 지난해만 9조 원이 넘는 지원금을 YMTC에 투입한 결과물이다.
물론 자국에서 생산된 구형 제조 장비를 사용한다는 점에서 해당 제품의 수율과 사업성은 매우 낮은 가능성이 있다. 다만 이러한 방식의 천문학적 지원이 계속된다면 기술 추격을 시작으로 시장 잠식에도 빠르게 나설 수 있다는 것이 업계 시선이다.
메모리 반도체 개발 과정에서 회로 미세화가 한계에 다다르면서 중국이 기술 격차를 좁힐 또 다른 기회를 잡을 수 있다는 우려도 있다. 반도체 회로 미세화의 한계를 극복하기 위한 핵심으로 여러 개의 칩을 효율적으로 조합해 고성능을 구현하는 패키징(후공정)이 꼽힌다. 중국은 전 세계 반도체 후공정 시장에서 대만에 이어 2위 점유율을 차지할 정도로 탄탄한 자체 생태계를 보유하고 있다. 시장조사 업체 IDC에 따르면 지난해 기준 글로벌 10대 반도체 후공정(OSAT) 기업에 한국 기업은 한 곳도 이름을 올리지 못한 반면 중국 기업은 세 곳(JCET·TFMC·HUATIAN)이나 이름을 올렸다.
정형곤 대외정책연구원 선임연구위원은 “중국의 반도체 산업 육성 환경은 조성된 생태계와 대규모 시장 보유 등으로 1990년대 삼성과 TSMC가 산업을 육성하던 시기보다 훨씬 유리하다”며 “후공정 분야는 기술적으로 덜 까다롭고 진입 장벽도 낮기 때문에 중국이 제조 능력과 높은 시장점유율을 기반으로 글로벌 공급망을 의도적으로 통제할 수 있다”고 말했다.
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