삼성전자, 70나노급 D램 공정 개발

삼성전자가 80나노의 한계를 깨고 70나노급 핵심 D램 공정기술을 잇따라 개발하며 나노 반도체시대의 주도권 강화에 나섰다.

삼성전자는 20일 ‘화학기상증착(CVD)’ 방식을 활용한 70나노급 ‘CVD 알루미늄 공정기술’을 업계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이 기술은 알루미늄을 포함한 금속화학물질을 화학반응으로 입자화 시켜 웨이퍼 표면에 증착, ▦전도성막을 형성하고 ▦회로연결용 배선을 만들어 주는 기술로 D램 제조의 핵심인 회로배선공정에 사용된다.

삼성전자는 이 기술을 적용하면 회로에 문제를 일으키는 ‘공동(空洞)현상’을 해결하는 것은 물론 회로배선의 전기적 특성도 대폭 향상시킬 수 있다고 설명했다. 특히 지금까지 회로배선 공정에 필요했던 평탄화 및 세정 등이 필요하지 않아 약 20% 정도의 비용절감 효과도 기대된다. 삼성전자는 이미 ▦금속 캐패시터 기술 ▦3차원 트랜지스터 설계기술 ▦상감기법 설계기술 등 첨단 70나노급 D램 공정기술과 설계기술을 개발한 바 있다.

삼성전자는 이번 공정기술을 적용한 90나노 512메가비트 D램 시제품을 확보했으며, 올해 안에 70나노 D램도 선보일 예정이다.