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삼성전자가 세계 최초로 3차원 TSV (Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)기반 ‘DDR4 D램 모듈’을 양산하며 3차원 V낸드에 이어 ‘3차원 D램 시대’를 열었다고 27일 밝혔다.
‘DDR4 D램 모듈’은 20나노급 4기가비트(Gb) D램 칩 144개로 구성된 대용량 제품으로서, 최첨단 3차원 TSV 기술로 4기가비트 D램을 4단으로 쌓아 만든 4단 칩 36개를 탑재했다. ‘TSV’는 기존 금선을 이용해 칩을 연결하는 대신, 칩에 미세한 구멍을 뚫어 칩 상하단을 전극으로 연결하는 기술로 이를 적용한 서버용 D램은 이전에 비해 동작 속도가 2배나 빠르면서도 소비전력을 2분의1 수준으로 크게 절감했다. 삼성전자는 이번 64기가바이트 대용량 서버용 DDR4 모듈과 금년 하반기 출시되는 글로벌 IT업체들의 차세대 서버용 CPU를 연계해 DDR4 신규시장을 적극 공략해 나갈 예정이다.
백지호 메모리사업부 메모리 마케팅팀 상무는 “이번 TSV기반 D램 모듈 양산으로 하반기 업계 차세대 CPU 출시에 맞춘 초절전 솔루션을 제공하고 프리미엄 DDR4 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다”며,“향후 3차원 메모리 반도체 기술을 기반으로 제품 경쟁력을 강화하는 한편 글로벌 메모리 시장에서 주도적인 역할을 할 것”이라고 말했다./SEN TV 보도팀
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