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표준硏, 10nm 박막두께 인증표준물질 개발

한국표준과학연구원은 재료측정표준센터 김창수 박사팀이 차세대 반도체 산업에 필수적인 10나노미터(㎚) 이하의 반도체 두께 인증표준물질 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.

기존 반도체 두께 인증표준물질은 10nm급 이상의 실리콘 산화막을 기반으로 차세대 반도체 산업에 적용하기에 한계가 있었다.

이번에 개발된 인증표준물질은 실리콘 기판위에 실리콘 산화막을 씌운 뒤 그 위에 수 나노미터 두께의 전류누설 차단능력과 절연특성이 좋은 ‘하프늄 산화막’을 원자층 단위 두께로 증착시키는 기술을 활용했다. 이를 통해 기존 방식에서 발생하는 두께 측정 불확도 요소를 제거한 것.

또 연구팀은 정밀한 측정이 가능한 X-선 반사법을 이용해 5nm급 두께에 대해 0.7%의 두께 차이를 구분할 수 있을 정도로 정밀하게 인증했다.



김창수 박사는 “이번 기술 개발을 통해 초미세 반도체 제조 공정에 보다 정확한 두께 표준을 제공할 것”이라며 “ 반도체, 디스플레이, 나노전자소자 및 나노소재 개발 등 산업체 연구개발 현장에 제공하며 연구소, 학교 등으로 확대 보급할 계획”이라고 말했다.

nbgkoo@sed.co.kr
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