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삼성이 내놓은 차세대 모바일 반도체는

1.5GHz 듀얼코어 모바일 AP, 차세대 LPDDR3 모바일 D램 등

삼성이 내놓은 차세대 모바일 반도체는 1.5GHz 듀얼코어 모바일 AP, 차세대 LPDDR3 모바일 D램 등 타이페이=이규진기자 sky@sed.co.kr 삼성전자는 29일 대만 타이페이에서 열린 ‘삼성 모바일 솔루션 포럼 2011’에서 고성능·저전력의 차세대 모바일 반도체를 선보여 고객사들의 뜨거운 관심을 받았다. 속도 등 성능이 개선되고 전력 소모가 대폭 줄어든 신제품들은 삼성전자가 추구하는 ‘스마트 랜드’를 구현하는 견인차 역할을 할 것으로 기대된다. ◇1.5GHz 듀얼코어 모바일 AP=1.5GHz(기가헤르츠) 듀얼코어를 탑재한 고성능 모바일 AP(Application Processor)로 제품명은 Exynos 4212다. 32나노 HKMG(하이-케이메탈 게이트) 로직공정을 적용한 스마트폰향 모바일 AP다. HKMG 기술은 신물질을 사용해 공정이 미세화될수록 증가하는 누설전류를 효과적으로 줄이고 집적도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술로 꼽힌다. Exynos 4212는 기존 듀얼 코어(Exynos 4210)에 비해 CPU 프로세싱 성능이 25% 향상됐다. 이에따라 데이터를 저장하면서도 음악감상, 인터넷 검색을 자유롭게 할 수 있는 멀티태스킹 기능이 한층 강화됐고, 소비전력은 30% 이상 절감했다. 또 3D 그래픽 성능이 우수한 기존의 1.2GHz 듀얼코어 제품보다 처리속도가 50% 향상됐다. 이외에 Exynos 4212는 ▦이미지 신호 처리기(Image Signal Processor) 내장 ▦Full HD 동영상 하드웨어 코덱 탑재로 고해상도(1080p) 동영상 녹화와 재생 가능 ▦고선명 멀티미디어 인터페이스(HDMI)1.4 지원 등의 강점을 갖추고 있다. 정세웅 DS사업총괄 시스템LSI사업부 전략마케팅팀 부사장은 “혁신적인 모바일 환경이 현실화되면서 고성능 모바일 컴퓨팅 기기에 대한 사용자들의 기대감은 더욱 높아졌다” 며, “설계 노하우와 미세 공정 기술을 바탕으로 고성능·저전력 모바일 AP 개발에 더욱 박차를 가할 것”이라고 밝혔다. ◇차세대 LPDDR3 모바일 D램=삼성전자가 업계 최초로 개발한 30나노급(1나노: 10억분의 1미터) 4Gb (기가비트) LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3) 모바일 D램 기술이다. 삼성전자는 지난해 12월 30나노급 4Gb LPDDR2 모바일 D램을 상용화한 데 이어 9개월 만에 같은 30나노급 공정으로 차세대 4Gb LPDDR3 모바일 D램 기술을 확보했다. 차세대 LPDDR3 모바일 D램은 금년 4분기에 모바일 기기 업체에 샘플 공급을 시작할 예정이다. 내년부터 차세대 스마트폰 및 태블릿 등 다양한 고성능 모바일 기기에 본격 탑재된다. 이 제품은 기존 4Gb LPDDR2 제품(1,066Mbps)에 비해 1.5배 빠른 1,600Mbps(Mega Bit per Second)의 속도로 작동된다. 데이터 전송속도가 빨라짐에 따라 고성능 모바일 기기의 최대 메모리 용량은 기존 4Gb LPDDR2를 2단 적층한 1GB(8Gb) 제품에서 4Gb LPDDR3를 4단 적층한 2GB(16Gb) 제품으로 훨씬 커지게 된다. 시장조사기관에 따르면 2013년부터 LPDDR3 모바일 D램 시장이 본격 확대될 것으로 전망되고 있다. 이번에 삼성전자가 1년 앞당겨 2012년부터 4Gb LPDDR3 제품을 양산함에 따라 프리미엄 모바일 D램의 시장은 더욱 빠르게 성장해 나갈 것으로 예상된다. 홍완훈 DS사업총괄 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 “금년 3월에 업계 최초로 30나노급 4Gb LPDDR2 모바일 D램을 양산한 데 이어 이번에 차세대 LPDDR3 모바일 D램을 개발해 고객에게 업계 최고 수준의 그린 메모리를 한 발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며, “향후에도 고객사가 고성능 신제품을 적기에 출시할 수 있도록 기술 협력을 더욱 강화해 차세대 모바일 메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것”이라고 밝혔다. ◇세계 최고 속도 내장 메모리카드=20나노급 64Gb 낸드 플래시 기반의 64GB 고성능 내장메모리(eMMC, embedded Multi Media Card). 64GB 내장메모리는 현재까지 상용화된 메모리카드 중 가장 빠르다. 두께는 1.4 mm, 무게는 0.6g에 불과하지만 16,000곡의 MP3 파일에 해당하는 대용량 데이터 저장이 가능하다. 최고 성능의 프리미엄 모바일 기기에 적합한 초고속 솔루션으로 랜덤 쓰기속도에서 현재까지의 제품 중 가장 빠른 속도인 400 IOPS(Input/Output per Second)를 구현한다. 기존 30나노급 64GB eMMC 제품의 100 IOPS 대비 4배나 빨라진 것. 또한 연속 읽기ㆍ쓰기 속도에서도 기존 고성능 외장메모리 카드(24MB/s, 12MB/s) 대비 3배 이상 빠른 80MB/s, 40MB/s의 성능을 낸다. 삼성전자는 지난해 1월 업계 최초로 30나노급 64GB eMMC를 양산해 대용량 내장메모리 카드 시장을 개척했다. 이어 지난해 하반기 20나노급 64GB eMMC 양산에 이어 금년 중에 생산성을 약 60% 높인 고성능 20나노급 64GB eMMC를 양산하는 등 프리미엄 제품 라인업을 더욱 강화할 방침이다. 삼성전자는 또 내년에 JEDEC eMMC 4.5 표준을 적용해 20나노급 64GB eMMC 제품 대비 성능을 두 배로 높인 차세대 프리미엄급 대용량 내장메모리 카드를 양산해 낸드플래시 시장을 지속 성장시켜 나갈 예정이다. 김명호 DS사업총괄 메모리사업부 전략마케팅팀 상무는 “금년 중에 업계 최고 성능의 20나노급 64GB eMMC를 양산해 프리미엄급 내장 메모리 카드 시장을 더욱 확대하게 됐다”며, “향후에도 모바일 기기 업체에게 차세대 프리미엄급 고성능 eMMC제품을 적기에 양산해 모바일 스토리지 시장에서 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 것”이라고 밝혔다. ◇세계 최소 사이즈 이미지센서=삼성전자가 현재까지 출시된 제품 중 가장 작은 1/8.2인치 구경의 120만 화소 SoC CMOS 이미지센서다. 120만 화소의 전방 카메라용 이미지 센서로 두께 2.8mm 이하의 5.5mm x 5.5mm 카메라 모듈제작이 가능하다. HD급(720p) 영상통화를 지원하고 HD급 동영상을 1초당 30프레임 속도로 촬영이 가능하다. 또 영상 신호 처리(ISP :Image Signal Processor)칩을 내장, 센서에 최적화된 영상 신호 처리가 가능하다. 저조도 환경에서도 난반사를 막고 광전효율을 최대화할 수 있는 1.4μm 후면조사형(BSI, Back Side Illumination) 기술이 적용돼 모바일기기 사용자들이 어두운 곳에서도 HD급영상통화를 즐길 수 있다. 이도준 DS사업총괄 시스템LSI사업부 전략마케팅팀 상무는 “4세대 이동통신 시대의 도래로 HD 영상통화를 지원하는 전방 카메라용 CMOS 이미지센서의 수요가 증가할 것으로 예상된다”며 “삼성전자는 크기는 작으면서도 HD급 화질을 구현 하는 신제품의 출시를 통해 이미지센서의 제품 포트폴리오를 강화할 것”이라고 밝혔다. ◇1600만 화소 CMOS 이미지센서= 컴팩트 디지털 카메라와 캠코더에 최적화된 1/2.3인치 크기의 센서로 MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 등 다양한 인터페이스를 지원하는 프리미엄급 스마트폰에도 적합한 제품이다. 특히 최대 1600만 화소의 정지 화상을 1초당 30 프레임으로 셔터지연(shutter lag) 현상 없이 촬영 가능 하도록 설계돼 최대 830만 화소의 고해상도 16:9 동영상을 1초당 60 프레임의 속도로 촬영할 수 있다. 또 후면 조사형 1.34μm 픽셀 센서를 채용해 뛰어난 감도와 저잡음 특성을 갖고 있어 어두운 실내와 야경에서도 밝고 선명한 화질을 제공한다. 시장조사기관 TSR(Techno System Research)에 따르면 내년 디지털 카메라 시장은 1억5,000만대로, CMOS 이미지센서가 탑재된 디지털 카메라 비율은 전년 대비 13.7% 늘어난 48.2%에 이를 전망이다. [IT·과학&자동차] 앗! 내가 몰랐던 정보들도 가득!

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