현대전자, 64M DDR 싱크로너스D램 개발

09/24(목) 12:46

현대전자는 최근 차세대 고속 메모리인 64메가DDR(Double Data Rate) 싱크로너스D램과 모듈을 개발했다고 24일 밝혔다.

이 제품은 기존 싱크로너스D램 제품보다 정보처리속도가 4배이상 빨라 1초에 2백자 원고지 6만5천장(신문 1천6백장) 분량의 데이터를 전송할 수 있다고 현대전자는 설명했다.

회로선폭이 0.22미크론(1미크론=1백만분의 1ｍ)인 이 제품은 기존 64메가 싱크로너스D램과 동일공정을 사용함으로써 별도의 투자없이 제품생산이 가능하다고 현대는밝혔다.

현대는 오는 99년 상반기부터 이 제품을 양산할 계획이라고 말했다.

DDR 싱크로너스D램은 클럭신호 1회에 데이터를 2번 전송할 수 있어 클럭신호 1회에 데이터를 1번 보내거나 받는 싱크로너스D램보다 속도가 배이상 빠르다고 현대는 설명했다.

현대는 현재 메모리 주력제품인 싱크로너스D램 이후 차세대 고속메모리시장은 램버스D램, 싱크링크D램, DDR 등 3개 제품이 주도권을 다툴 것으로 예상되며 이중 DDR는 로열티 부담이 없고 별도의 장비투자비가 들지 않는 장점이 있다고 말했다.

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