삼성전자가 무선통신 성능을 강화한 차세대 5G 밀리미터파(㎜Wave) 기지국용 무선통신 핵심칩(RFIC) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다. 삼성전자는 2017년 업계 최고 수준의 저전력 성능을 가진 1세대 무선통신 핵심칩을 개발했다. 차세대 무선통신 핵심칩은 지원 주파수와 통신 성능을 개선하면서 저전력 성능은 여전히 업계 최고 수준이라는 것이 삼성전자의 설명이다. 신호 대역폭은 기존 800㎒에서 1.4㎓로 75% 확대했으며, 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켰다. 이에 따라 최대 데이터 전송률과 서비스 커버리지가 확대됐다. 또 핵심칩의 크기도 기존보다 36% 가량 작아졌고, 저전력 기능과 방열 구조물을 최소화했다.
이번 차세대 무선통신 핵심칩은 28㎓와 39㎓에 대응 가능하며, 해당 대역을 5G 상용 주파수 대역으로 선정한 미국·한국 등에서 주로 사용될 것으로 평가된다. 삼성전자는 올 2·4분기부터 차세대 무선통신 핵심칩을 양산할 예정이다. 유럽과 미국에서 추가 할당할 예정인 24㎓, 47㎓ 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발할 계획이다.
삼성전자는 이와 함께 디지털-아날로그변환 칩(DAFE) 자체 개발에도 성공했다. 디지털-아날로그변환 칩은 5G 초광대역폭 통신시 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 5G 기지국에 적용하면 제품의 크기와 무게, 전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다. 기지국의 소형·경량화는 통신 사업자의 네트워크 투자·운영비를 줄여 더 많은 지역에서 더 빨리 5G 서비스를 제공할 수 있도록 할 수 있다.
전경훈 삼성전자 네트워크사업부장은 “삼성전자는 한국과 미국에서 5G 상용화를 선도하고 있으며, 현재까지 국내외 핵심 사업자들에게 3만6,000대 이상의 5G 기지국 공급을 완료했다”며 “5G 시장 선두업체로서 지속해서 5G 기술을 차별화하겠다”고 말했다.
/강동효기자 kdhyo@sedaily.com
< 저작권자 ⓒ 서울경제, 무단 전재 및 재배포 금지 >
kdhyo@sedaily.com
