삼성전자가 차세대 낸드플래시 시장에서 ‘초격차’를 유지할 비상 전략을 가동한다. 올 하반기 평택 2공장에서 첫 생산을 시작할 7세대 176단 낸드플래시 양산 준비는 물론, 200단 이상 8세대 제품 개발 및 양산도 앞당길 것으로 보인다. 기술 차이를 좁혀오는 미국 마이크론 등 경쟁자들을 멀찌감치 따돌리기 위해서다.
8일 송재혁 삼성전자 부사장(플래시 개발실장)은 삼성전자 뉴스룸에 낸 기고문에서 200단 이상의 8세대 V낸드 개발에 박차를 가하고 있다고 밝혔다. 송 부사장은 “200단이 넘는 8세대 V낸드 동작 칩을 확보한 상황으로 시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 준비 중”이라고 설명했다. 송 부사장은 아울러 초격차 기술력을 기반으로 향후 1,000단 V낸드 시대에도 삼성전자가 시장을 주도할 것이라고 확신했다.
업계에 따르면 삼성전자는 현재 저장 공간(셀)을 228단으로 적층한 8세대 V낸드 구현을 목표로 연구를 진행하는 것으로 알려져 있다.
현재 176단 7세대 V낸드는 평택 신규 팹인 2공장(P2)에서 12인치 웨이퍼 기준 월 1만 장(10K) 규모로 테스트 공정이 한창 진행되고 있는 것으로 전해진다. 올 하반기 이 라인이 가동되면 곧장 8세대 V낸드 양산 준비에 돌입할 것이라는 관측이 나온다.
삼성전자가 다음 세대 낸드 플래시를 발표하기 전에 ‘차차세대’ 낸드 플래시 단수까지 공개하는 것은 상당히 이례적이다. 개발 도중 단수가 변경되거나 제품 로드맵이 바뀔 가능성이 있기 때문에 공식적으로 적층 수를 알리지 않는 것이 통상적이다. 하지만 이번처럼 이례적으로 200단 이상 낸드플래시 출시를 미리 알린 것은 삼성전자의 ‘초격차’ 기술에 적수가 없다는 것을 강조하기 위함으로 보인다.
그동안 삼성전자는 낸드 시장에서 독보적인 영향력을 과시했으나 최근 ‘기상 이변’이 일어나고 있다. 마이크론은 지난해 11월 세계에서 처음으로 176단 낸드플래시 양산을 시작했다고 발표했고 뒤이어 SK하이닉스도 176단 낸드플래시 기술 확보를 끝냈다고 공식적으로 밝혔다. 삼성전자의 기술 우위에 중대한 변수가 생긴 셈이다. 이에 따라 삼성전자는 7세대 제품 양산 이후 8세대 V낸드 양산을 최대한 앞당기는 초격차 전략을 재차 구사할 것으로 보인다.
한편 송 부사장은 이날 8세대 V낸드 개발 방침을 발표하면서 조만간 양산할 7세대 V낸드 기술도 함께 소개했다. 7세대 V낸드는 셀 공간을 최소화해 밀도를 기존 대비 35% 줄였다. SK하이닉스·마이크론 등 경쟁사의 직전 제품인 6세대(128단) 낸드플래시와 높이가 비슷하다. 송 부사장은 아울러 “삼성전자는 한 번에 100단 이상을 쌓아 10억 개가 넘는 구멍을 뚫을 수 있는 싱글 스택 에칭 기술을 보유한 유일한 업체로 향후 높이의 물리적 한계를 극복하고 초고단으로 갈수 있는 기술 리더십을 확보했다”고 밝혔다. 삼성전자는 업계 최초 셀 사이즈의 7세대 V낸드가 적용된 소비자용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 올해 하반기에 출시할 계획이다.
/강해령 hr@sedaily.com
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