키파운드리는 0.18마이크론미터(㎛) 고전압 BCD(바이폴라-CMOS-DMOS) 공정 양산을 시작했다고 28일 밝혔다.
BCD 공정은 아날로그 신호 제어를 위한 바이폴라, CMOS, 고전력 처리를 위한 DMOS를 하나의 칩에 구현한 공정 기술이다. 이 공정은 전력 반도체 제조에 활용된다. 회사는 최근 고객사들의 전력 반도체 주문이 늘어나면서 생산성과 제품군, 성능을 개선한 공정 서비스라고 설명했다.
키파운드리는 8V ~ 150V 급의 다양한 동작 전압의 전력 소자 제조 서비스를 제공한다. 특히 100V나 150V급 고전압 전력 소자는 스마트폰, 노트북 등에 사용되는 배터리 충전용 집적회로(IC) 성능을 향상시킬 수 있다.
키파운드리는 고전압 소자 기술을 고도화해 200V 급 고전압 소자 파운드리 서비스도 올 하반기에 제공할 예정이다.
이태종 키파운드리 대표는 “최근 전력 반도체 시장에서 고속 전력 전달과 높은 전력 효율을 위해 100V 이상의 BCD 공정 수요가 증가하고 있다"며 "키파운드리는 지속적으로 공정 기술을 개발해 전력 반도체 팹리스 고객들의 요구에 대응하겠다” 고 말했다.
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