글로벌 복합 위기로 메모리 반도체 업황이 빠르게 위축되는 가운데 삼성전자(005930)가 이를 기술 초격차의 기회로 삼고 나섰다. 미국 실리콘밸리에서 내년과 20204 년 차세대 D램, V낸드플래시 제품을 잇따라 선보인 뒤 2025년에는 차량용 메모리 시장에서 1등을 하겠다고 공언한 것이다. 나아가 2030년에는 현재보다 저장 능력이 5배 이상 뛰어난 1000단 V낸드플래시까지 개발하겠는 복안도 선보였다. 경쟁사들과 달리 메모리 감산 계획도 없다고 밝히며 30년째 수성 중인 메모리 반도체 1위 자리를 앞으로도 내주지 않겠다는 의지를 재차 천명했다.
삼성전자 메모리사업부장인 이정배 사장은 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크 데이’에서 “내년 5세대 10나노급 D램, 8세대 낸드플래시를 생산하고 2024년에는 9세대 V낸드플래시를 양산할 계획”이라고 발표했다. 삼성 테크 데이는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. 현재 D램은 4세대 10나노급, V낸드플래시는 7세대가 생산되고 있다. 최근 소비 시장 위축에도 첨단 기술 개발 속도를 줄이지 않겠다는 생각이었다.
8세대 V낸드플래시는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42%가 늘어난다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어난 제품이다. 이 사장은 이날 8세대 V낸드플래시 512Gb(기가비트) TLC(1개 셀에 3개 비트 저장) 제품도 공개하며 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이라고 소개했다.
이 사장은 이와 함께 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드플래시를 개발하겠다는 목표도 걸었다. 현재 176단의 7세대 제품보다 저장 기능이 5배 이상 좋다. 그는 또 2025년 자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS) 등 차량용 메모리 시장 1위를 달성하겠다는 포부도 밝혔다.
시스템LSI 사업부장인 박용인 사장은 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 삼성전자가 ‘통합 솔루션 팹리스(반도체 설계 전문회사)’로 거듭날 것이란 구상도 제시했다. 박 사장은 “우리는 시스템온칩(SoC), 이미지센서, 모뎀 등 900여 개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자가 시스템 반도체 포트폴리오 보유 수를 밝힌 건 이번이 처음이다. 박 사장은 이날 시스템온칩, 차량용 5G(5세대 통신) 모뎀 등 차세대 제품도 공개했다. 그는 “4차 산업혁명 시대에는 초지능화, 초연결성, 초데이터가 요구된다”며 “삼성전자는 인간 수준에 근접하는 성능을 가진 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다”고 역설했다.
삼성전자는 늘어난 재고와 수요 감소로 인한 메모리 반도체 감산 우려에도 선을 그었다. 한진만 삼성전자 메모리 사업부 부사장은 이날 현지 기자간담회에서 “현재로서는 (감산에 대한) 논의는 없다”고 잘라 말했다. 미국 최대 메모리 반도체 제조사인 마이크론과 낸드플래시 2위 업체인 일본 키옥시아(옛 도시바 메모리)가 최근 생산을 대폭 줄이겠다고 공표한 것과는 대조적인 발언이었다.
삼성전자는 지난 1993년부터 메모리 반도체 세계 1위를 30년째 지키고 있다. D램과 낸드플래시는 각각 1992년, 2002년 1위에 올랐다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 D램 점유율은 삼성전자 42.7%, SK하이닉스 28.6%, 마이크론 22.8% 순이다. 낸드플래시 시장에서도 삼성전자는 33.9% 점유율로 2위 키옥시아(18.9%)와 큰 격차를 보였다.
한 부사장은 미국이 주도하는 반도체 공급망 협의체 ‘칩4 동맹’을 두고는 “정부 간 논의 사안”이라며 “상황을 면밀히 주시하고 있다”고만 말했다. 한국, 미국, 중국 업체들 간 최근 낸드플래시 단수 경쟁에 대해서는 “낸드는 몇 단을 쌓느냐가 중요한 것이 아니라 결국 생산성이 핵심”이라고 지적했다.
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