[컨콜] 삼성전자 "세계 최초 낸드 160단 싱글 스택 구현"

中 시안 팹 공정 전환 가속화

삼성전자 평택 캠퍼스 전경. 사진제공=삼성전자

삼성전자가 31일 온라인으로 개최된 3분기 실적 발표회를 통해 세계 최초로 160단 낸드에 한 번에 채널홀을 뚫는 기술을 개발했다고 밝혔다.

김재준 삼성전자 부사장은 “원가와 제품 경쟁력 강화 위해 9세대(300단 이상) V낸드 플래시 개발에 박차를 가하고 있다”면서 “독보적 식각 공정으로 세계 최초 160단 낸드 위에 한 번에 구멍을 뚫는 싱글스택 기술을 구현했다”고 설명했다. 김 부사장은 “더블 스택만으로 300단 수준 9세대 V 낸드 양산 동작 칩을 성공적으로 확보했다”면서 “월등한 양산력, 짧은 공정 시간으로 원가 경쟁력과 시장 대응력을 더욱 강화하겠다”고 자신했다.



또한 낸드 플래시 생산라인의 경우 7세대(176단), 8세대(236단) 낸드 생산 라인 전환을 가속화한다는 방침이다. 김 부사장은 “미국 정부의 중국 장비 수출 허가로 시안 낸드 공정 전환 불확실성이 상당 부분 해소됐다”며 “선단 공정 전환에 속도를 올릴 것”이라고 전했다.