하이닉스,낸드 플래시메모리 양산

하이닉스반도체가 3ㆍ4분기부터 1기가 낸드(NAND) 플래시메모리 양산체제에 들어가며 삼성전자의 아성에 도전한다.

18일 하이닉스는 512메가 플래시메모리 양산체제를 구축한데 이어 90나노공정 1기가비트급 제품을 3ㆍ4분기에 양산에 들어갈 예정이라고 밝혔다. 낸드 플래시메모리는 휴대전화, 디지털 제품에 주로 사용되는 메모리제품으로 현재 삼성전자가 67%의 시장점유율로 압도적인 우위를 보유하고 있다.

하이닉스 관계자는 “현재 0.12미크론(㎛) 기술로 출시한 512Mb 낸드 플래시에 이어 90나노 공정을 적용한 1기가 제품을 3ㆍ4분기에 양산하며, 4ㆍ4분기에는 2기가 제품을 출시할 계획”이라고 말했다. 하이닉스는 공동개발작업을 수행한 ST마이크로와 협력을 강화해 삼성전자의 시장점유율을 떨어뜨리는데 총력을 기울인다는 전략이다.

이 관계자는 이어 “노후한 D램 라인을 우선 플래시메모리 전용으로 교체하고 있다”며 “99년이후 플래시메모리 분야에 대한 연구에 주력, 특허 출원건수가 385건으로 삼성전자 242건을 능가하고 있어 기술력에서 뒤질게 없다”고 자신했다.

이에 대해 삼성전자는 가격조절을 통해 견제에 나설 예정이다. 2기가 플래시제품을 40달러대로 낮추면서 하이닉스 등 후발업체를 압박한다는 전략이다. 2기가 플래시 가격은 지난해 4ㆍ4분기에 개당 64달러대까지 치??은 이후 최근에는 46달러대로 급격히 떨어진 상태다.

한편 올해 낸드 플래시메모리는 52억 달러의 시장을 형성하며 삼성전자, 하이닉스, 도시바의 치열한 3파전 양상이 전개될 전망이다.

<최인철기자 [e-mail]>