삼성전자, 256M 저전력 SD램 양산

삼성전자는 256메가 저전력(Low Power) SD램을 세계 최초로 양산한다고 23일 밝혔다.이 제품은 회로선폭 0.15미크론(㎛)의 미세공정 기술을 적용하고 2.5V의 저전압으로도 작동하도록 설계됐다.

특히 소비전력을 기존 제품의 10분의 1로 줄이고 초소형 반도체 패키지기술인 CSP(Chip Scale Package)를 적용시켜 적은 전력 소비량과 작은 사이즈의 반도체를 필요로 하는 차세대 휴대형 디지털 정보기기에 적합하다고 삼성측은 설명했다.

삼성전자는 이로써 IMT-2000용 기기, 디지털캠코더, 스마트폰, PDA, 디지털카메라 등에 탑재될 저전력 SD램 반도체 시장선점에 유리한 위치를 확보하게 됐다.

삼성전자측은 "저전력 SD램은 PC에서 사용되는 범용 SD램에 비해 가격이 비싸고 최근 휴대기기용 SD램 시장의 본격화로 개발 경쟁이 치열한 고부가가치 반도체"라며 "내년에는 휴대기기용 SD램 시장의 50% 이상을 점유할 계획"이라고 밝혔다.

조영주기자