삼성전자 세계 첫 80나노 D램 양산

삼성전자가 세계 최초로 80나노 D램 양산에 들어갔다.

삼성전자는 D램 공정기술로는 가장 미세한 80나노 기술을 적용한 512Mb DDR2 D램(사진) 양산체제를 구축했다고 13일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 80나노 D램 공정기술(1나노는 10억분의1m로 성인 머리카락 굵기의 10만분의 1)은 삼성전자가 지난 2003년 9월에 삼성전자가 업계 최초로 개발한 3차원 트랜지스터 기술(RCAT)이 적용돼 D램의‘집적도’및‘데이터 보유특성’을 획기적으로 개선했다.

삼성전자는 지난 2003년 업계 최초로 100나노 공정을 도입한 이후 2004년 90나노에 이어 80나노 D램 양산에 들어가며 3세대 연속 최첨단 나노 D램 공정 기술을 주도 하고 있다. 삼성전자는 80나노 공정을 512Mb DDR2 D램에 우선 적용하고 향후 타 D램 제품군으로 빠르게 확대 적용해 나갈 방침이다. 또 지난해 개발한 70나노 D램 공정기술도 올 하반기 양산에 돌입할 계획이다.