트랜지스터는 게이트에 전압이 가해지면 채널을 통해 ‘Source’에서 ‘Drain’으로 전류가 흐르며 동작하게 된다. 이때 게이트와 채널과의 접점이 클수록 효율이 높아지는데, 핀펫 공정은 핀(Fin) 모양의 3D 구조를 적용, 접점 면적을 키워 반도체 성능 향상 및 누설 전류를 줄였다.
이번 10나노 2세대 공정(10LPP, Low Power Plus)은 기존 1세대 공정(10LPE, Lower Power Early)보다 성능과 전력효율이 각각 10%, 15% 향상됐다.
삼성전자는 2016년 10월 업계최초로 양산에 성공한 10나노 핀펫 공정(1세대)을 삼성전자의 ‘엑시노스 9’과 퀄컴의 ‘스냅드래곤 835’ 등 프리미엄 모바일 AP 양산에 적용하며 10나노 시장을 주도하고 있다.
삼성전자의 10나노 공정 기반 모바일 AP는 현재 갤럭시 S8에 탑재되고 있다. 삼성전자는 성능과 전력효율을 향상시킨 10나노 2세대 공정을 통해 파운드리 고객을 다변화 하고, 컴퓨팅, 웨어러블, IoT, 네트워크 등 응용처를 확대해 나갈 계획이다.
또한 삼성전자는 10나노 파운드리 수요 증가에 대비하기 위해 2017년 4분기까지 화성캠퍼스에 위치한 S3라인에 10나노 생산설비를 증설해 보다 안정적인 양산체계를 구축할 예정이다.
이상현 삼성전자 파운드리 마케팅팀 상무는 “10나노 1세대 공정의 성공적 양산과 고객 확보를 통해 삼성전자 10나노 공정의 우수성과 공정 리더십이 증명된 바 있다”며 “2세대 공정 역시 모바일, 컴퓨팅, 네트워크 등 다양한 분야의 고객들에게 차별화된 솔루션을 제공할 것”이라고 밝혔다.
/신희철기자 hcshin@sedaily.com
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