남석우(사진) 삼성전자 부사장은 1988년 삼성전자에 입사해 33년째 반도체 분야에서 활약하고 있는 반도체 공정기술 전문가다.
세계 최초로 디램(DRAM) 유전막 개발과 20나노 D램 개발 등을 주도해 반도체 매출 극대화에 기여했다. 또 핵심 신설비·신공정 양산 기술력을 선제 확보하는 중추적인 역할로 한국 반도체 산업의 글로벌 경쟁력 강화 및 생산성 향상에 기여했다는 평가를 받는다.
남 부사장은 D램 고유전막 형성 기술(전류 이동을 제어하여 반도체 성능을 최적화 하는 기술), V낸드 에칭 기술(피라미드 모양의 3차원 셀을 최상단에서 최하단까지 수직으로 균일하게 뚫는 기술), 비메모리·D램 극자외선 노광 기술(기존 노광 장비 해상도 능력 한계를 극복하는 기술) 등 반도체 원천기술 선행 개발을 주도해 기술 경쟁력 확보에 앞장섰다.
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특히 V낸드 에칭 기술을 활용해 업계 최초로 셀의 3차원 수직 적층(3D 낸드) 구조를 제품화하는데 성공했다. 이를 기반으로 삼성전자는 메모리 업계에서 유일하게 6세대 V낸드 양산(100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정) 및 생산성을 20% 향상시켜 반도체 분야에서 독보적인 국가 경쟁력을 유지했다.
삼성전자는 20나노 D램 기술 개발로 차세대 10나노급 D램의 기반을 마련해 세계 최초 3D V낸드 양산화에 성공했다. 반도체 업계에서 개발이 어려울 것이라고 했던 20나노 D램을 세계 최초로 개발·양산에 성공하며 글로벌 경쟁사 대비 생산성을 75% 높이고 기술 격차를 크게 벌리면서 한국이 반도체 강국으로 성장하는데 크게 기여해했다.
남 부사장은 글로벌 반도체 공급난을 돌파하기 위해 경기도 화성과 평택, 중국 시안을 통합하는 시스템 기반 반도체 생산 체제를 구축했다. 이를 바탕으로 높은 생산성을 구현하는 동시에 저전력 친환경 반도체 생산, 공정 가스·전력 사용량 절감 등 메모리 제조 과정에서 발생되는 온실가스 배출량 절감에도 함께 동참했다.
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