SK하이닉스(000660)가 모바일 D램(LPDDR)에 최첨단 HKMG 공정을 적용한 LPDDR5X(사진) 개발에 성공, 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.
HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용한 차세대 공정이다. 누설 전류를 막고 정전용량을 개선해 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. 모바일용 D램에 이 기술을 적용한 것은 세계에서 처음이다.
모바일용 D램은 모바일의 한정된 전력 내에서 사용 시간을 늘려야 해 낮은 전력 소비가 최대 관건이다. 이번 제품은 HKMG 공정 도입을 통해 속도 향상과 소비 전력 감소를 동시에 이뤘다. SK하이닉스에 따르면 이 제품은 현재 시장에 출시된 모바일 D램 중 전력 사용 효율이 가장 우수하다.
이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEX)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비 전력을 25% 줄였다. 속도 또한 8.5Gbps(기가비피에스)로 이전 세대 대비 33% 빨라졌다. 5GB(기가바이트)짜리 풀HD(FHD)급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.
D램은 서버·PC에 주로 사용되는 DDR과 스마트폰·태블릿PC에 들어가는 LPRRD로 분류된다. 모바일용 LPDDR은 규격 명에 LP(Low Power)가 포함될 정도로 낮은 전력 속도가 핵심이다. 현재 LPDDR은 5X로 7세대(1-2-3-4-4X-5-5X)까지 개발됐다. SK하이닉스 관계자는 “지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산한 데 이어 올해 업계 최고 속도의 LPDDR5X를 개발해 메모리 반도체의 절대 강자임을 다시 한 번 보여줬다”고 밝혔다.
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