삼성전자 세계 최초 '1기가 원낸드' 퓨전메모리 개발

삼성전자는 세계 최초로 90나노 공정을 적용, 낸드플래시와 S램 및 로직을 하나의 칩에 집적한 ‘1기가 원낸드(OneNAND)’ 퓨전 메모리를 개발했다고 10일 밝혔다.

이 제품은 다양한 형태의 메모리와 로직을 하나의 칩에 집적하고 시스템 사양에 적합한 소프트웨어까지 제공해주는 퓨전메모리의 일종으로, 현재 휴대폰에 주로 사용되는 노어플래시를 대체할 것으로 예상된다.

1기가 원낸드는 2개의 고속 S램을 버퍼 메모리로 활용, 노어보다 67배 빠른 초당 10메가바이트(MB)의 쓰기 속도와 낸드보다 4배 빠른 초당 108MB의 읽기 속도를 구현해 실시간으로 읽기와 쓰기가 가능하다.

또 추가투자 없이 기존의 낸드플래시 설비로도 양산이 가능해 원가경쟁력 면에서도 우수한 편이다. 이 제품을 채택할 경우 휴대폰 부팅시간이 대폭 단축되는 것은 물론 500만화소급 사진 60매를 연속 촬영할 수 있게 된다.

삼성전자의 한 관계자는 “1기가 원낸드는 노어플래시보다 훨씬 우수한 성능을 가졌을 뿐 아니라 심비안ㆍ리눅스 등 모든 운영체계(OS) 지원이 가능해 노어플래시를 급속히 대체할 것으로 기대하고 있다”며 “앞으로 3세대 휴대폰을 중심으로 수요가 급증할 것”이라고 말했다.

한편 시장조사 기관인 IDC에 따르면 3세대 핸드폰은 오는 2008년까지 연평균 67%의 급성장이 예상되고 있다.