큐에스아이, 반도체 레이저소자 특허취득

큐에스아이는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 대한 특허권을 취득했다고 5일 공시했다. 이번 특허는 전류 제한층이 한층일때 발생하는 누설전류에 의한 소자 광효율 저하 문제를 해결하고, 서로 다른 굴절율을 가지는 두개의 전류 제한층 조합을 구성하여 전류 제한층의 반사율이 증가하며, 누설전류 감소 및 동작전류 감소효과가 있어 레이저다이오드 소자의 광효율을 향상시키는 기술이다.

회사 관계자는 “적색파장(635nm~680nm)의 저동작전류 제품생산이 가능함에 따라 적생파장을 사용하는 바코드스캐너(Bar Code Scanner), 파워툴(Power Tool), 레이저스캐닝유닛(Laser Scanning Unit) 등의 응용제품에 경제성이 높은 저소비전류 제품적용 및 수요증가 가 예상된다”고 설명했다.