글로벌 복합 위기로 반도체 업황이 빠르게 위축되는 가운데 삼성전자(005930)가 초격차 기술을 앞세워 난국을 돌파한다는 전략을 세우고 있다. 파운드리(반도체 위탁 생산) 부문에서 대만 TSMC보다 앞선 2027년 1.4㎚(나노미터·10억분의 1m) 공정 양산 계획을 발표한 데 이어 이틀 만에 메모리반도체 부문에서 2030년 1000단 V낸드플래시를 개발해내겠다고 공언한 것이다.
삼성전자는 감산과 투자 축소를 선언한 마이크론·기옥시아 등 경쟁사들과 달리 메모리반도체 감산 계획도 없다고 밝히며 위기 상황에서 시장 지배력을 더 강화겠다는 의지를 천명했다. 이재용(사진) 부회장이 경영 일선에 복귀한 후 ‘기술 경영’에 속도가 붙는 분위기다.
삼성전자 메모리사업부장인 이정배 사장은 5일(현지 시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 테크데이’에서 “내년 5세대 10나노급 D램을 생산하고 2024년에는 9세대 V낸드플래시를 양산할 계획”이라고 발표했다. 삼성 테크데이는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보여온 자리다. 현재 D램은 4세대 10나노급, V낸드플래시는 7세대가 생산되고 있다. 최근 소비 시장 위축에도 첨단 기술 개발 속도를 줄이지 않겠다는 의미다. 이 사장은 이와 함께 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드플래시를 개발하겠다는 목표도 내놓았다. 이는 현재 176단인 7세대 제품보다 저장 기능이 5배 이상 좋다. 또 2025년 자율주행(AD), 첨단운전자지원시스템(ADAS) 등 차량용 메모리 시장 1위를 달성하겠다는 포부도 밝혔다. 시스템LSI 사업부장인 박용인 사장은 시스템반도체 제품 간 시너지 효과를 극대화해 삼성전자가 ‘통합 솔루션 팹리스(반도체 설계 업체)’로 거듭날 것이라는 구상도 제시했다.
삼성전자는 메모리반도체 감산 우려에도 선을 긋고 30년째 수성 중인 세계 1위 지위를 더 확고히 하겠다는 뜻을 내비쳤다. 한진만 삼성전자 메모리사업부 부사장은 이날 현지 기자 간담회에서 “현재로서는 (감산에 대한) 논의가 없다”고 잘라 말했다.
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