SK하이닉스(000660)의 용인 반도체 클러스터 투자액이 600조 원에 육박할 전망이다. 이는 2019년 발표한 120조 원 규모에서 5배 급증한 수치로 용적률 상향과 최첨단 공정 도입 비용 증가가 주된 원인으로 지목된다.
18일 업계에 따르면 SK하이닉스 용인 반도체 클러스터의 클린룸 면적은 기존 계획 대비 50% 확대됐다. 용인특례시가 최근 용인 반도체 클러스터 일반산업단지 용적률을 기존 350%에서 490%로 상향 조정한 결과다. 건축물 최고 높이 역시 120ｍ에서 150ｍ까지 완화됐다. 이에 따라 당초보다 1.5배 넓은 클린룸 조성이 가능해지면서 투자 비용이 크게 늘어난 것으로 전해졌다.
SK하이닉스는 2019년 용인 클러스터 조성 계획을 발표했다. 당시 투자액은 120조 원 수준이었다. 착공이 지연되는 사이 인공지능(AI) 붐이 일며 메모리 반도체 시장 수요가 폭증했다. 이에 대응하기 위한 생산능력 확대와 최첨단 설비 비용 증가 물가 상승 등이 맞물려 투자비가 기하급수적으로 불어났다.
업계는 최태원 SK그룹 회장이 언급한 600조 원을 현실적인 수치로 보고 있다. 최 회장은 지난 16일 용산 대통령실에서 열린 한미 관세협상 후속 민관 합동회의에 참석해 “정확한 추산은 어렵지만 용인에만 약 600조 원 규모의 투자가 이어질 것”이라고 언급했다.
용인 반도체 클러스터에는 총 4기의 생산 공장(팹)이 세워진다. 팹 1기 규모는 최근 준공된 SK하이닉스 청주 M15X 팹 6개와 맞먹는 수준이다. 지난해 SK하이닉스가 청주 M15X 팹 건설에 20조 원 이상 투입된다고 발표한 점을 고려하면 단순 계산으로도 용인 팹 1기당 120조 원 이상 투자가 필요하다. 4개 팹 완공 시 최소 480조 원이 투입될 전망이다. 용인 반도체 클러스터는 2050년까지 계획된 장기 프로젝트다. 향후 물가 상승 속도와 기술 발전을 고려하면 600조 원 투자는 합리적인 추정치라는 분석이 나온다. SK하이닉스는 2027년 용인 반도체 클러스터 첫 번째 팹 가동을 시작할 계획이다.
삼성전자(005930)도 최근 평택캠퍼스 5공장 공사를 재개하며 생산 능력 확대에 나섰다. 가동 목표 시기는 2028년이며 업계에서는 5공장 투자 규모를 약 60조 원으로 보고 있다. 증권업계에 따르면 삼성전자의 올해 D램 생산능력은 12인치 웨이퍼 기준 월 65만 장 낸드는 월 40만 장이다. 총메모리 생산능력은 월 105만 장으로 추정된다. 현재 증설 중인 평택캠퍼스 4공장 생산능력이 소폭 늘어나면서 내년 삼성전자의 메모리 생산능력은 월 110만 장으로 증가할 전망이다.
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