삼성전자(005930)가 5세대 HBM3E의 브랜드명을 ‘샤인볼트’로 정한 것으로 확인됐다. HBM3E 개발과 마케팅에 속도를 올리면서 이 분야 1위를 달리는 SK하이닉스(000660)의 뒤를 바짝 추격할 것으로 예상된다.
17일 업계에 따르면 삼성전자는 HBM3E 제품인 샤인볼트의 시제품을 고객사에 보내 퀄(승인) 테스트를 진행하고 있다. 시제품은 24Gb(기가비트) 칩을 8단으로 쌓아 올린 고대역폭메모리(HBM)로, 조만간 12단으로 적층한 36GB(기가바이트) 제품까지 개발을 완료해 샘플 칩 납품을 시도할 것으로 알려졌다.
샤인볼트의 최대 데이터 전송 속도(대역폭)는 HBM3보다 약 50% 빠른 1.228TB(테라바이트)다. HBM은 인공지능(AI) 시대가 열리면서 주목받고 있는 차세대 D램이다. 삼성전자의 최신 HBM 개발·양산 속도는 SK하이닉스보다 다소 늦다. 다만 절치부심한 삼성전자는 시황 개선과 동시에 첨단 메모리의 주도권을 탈환하겠다는 전략을 세우고 있다.
HBM의 핵심 제조 공정으로 분류되는 본딩 공정에서의 치열한 경쟁도 예상된다. 삼성전자는 HBM 양산 초기부터 열압착-비전도성필름(TC-NCF) 방식을 고수하고 있다. SK하이닉스가 HBM3부터 도입한 첨단 매스리플로-몰디드언더필(MR-MUF) 공정의 효율성을 앞지를 수 있을지가 관건이다.
삼성전자는 HBM 공정 패러다임을 바꿀 수 있는 ‘하이브리드 본딩’ 공정의 경우 개발과 양산 준비를 투트랙으로 운영해 개발 속도를 높이려는 방안도 검토하고 있다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “현재 HBM3를 양산 중이고 차세대 제품인 HBM3E도 정상 개발하고 있다”며 “고객 맞춤형 HBM까지 확장할 것”이라고 말했다.
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