AMD 신형 인공지능(AI) 가속기 ‘MI350’ 시리즈에 삼성전자(005930) 고대역폭메모리(HBM)3E 12단이 채택됐다. 엔비디아 HBM 인증이 지연되는 중인 삼성전자에게는 간만에 들려온 희소식이다. AMD가 내년 출시할 차세대 MI400 시리즈에 대한 HBM4 납품 기대감도 높아지고 있다.
AMD는 12일(현지 시간) 미 산호세 컨벤션센터에서 열린 ‘AI 어드밴싱 2025’ 행사에서 신형 AI 가속기 MI350X·MI355X에 삼성전자·마이크론 HBM3E 12단이 탑재된다고 밝혔다. 그간 삼성전자가 AMD에 HBM을 납품 중이라는 점은 암암리에 알려져 있었으나 AMD측이 이를 공식적으로 확인한 것은 처음이다.
MI350X·MI355X는 사실상 같은 칩셋이다. 냉각 설계에 차이가 있어 최고 작동속도가 다르다. 두 제품에 탑재되는 메모리 용량은 288GB로 같다. 전 세대인 MI300X에는 192GB, MI325X에는 256GB가 쓰였다. 전 세대보다 메모리 탑재량이 12.5% 늘어난 것이다.
또 그래픽처리장치(GPU) 8개를 묶은 플랫폼 단위로는 총 2.3TB(테라바이트) HBM3E가 적용된다. AMD는 이날 발표에서 최대 128개 GPU를 한 데 묶은 서버 랙 단위 판매를 늘려가겠다는 전략도 밝혔다. 삼성전자 HBM 대량 납품이 기대되는 대목이다.
내년부터 본격적으로 개막할 HBM4 시장에 대한 단서도 제공됐다. AMD는 내년 출시할 ‘MI400 시리즈’에 GPU 당 432GB HBM4를 탑재하겠다고 밝혔다. MI400 시리즈 GPU 72개로 구성한 서버랙 ‘헬리오스’에는 대당 31TB에 달하는 HBM4가 집약돼 현 세대 MI355X 서버랙 대비 10배의 AI 연산력을 자랑한다고 한다. 리사 수 AMD 최고경영자(CEO)는 “엔비디아 베라 루빈 서버 랙과 연산력은 동등하고 HBM 탑재량과 대역폭은 1.5배”라고 강조했다.
HBM4는 최근 JEDEC 규격이 확정되며 본격적인 생산 단계를 밟고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 올 연말 HBM4 양산을 목표로 삼았다. 특히 현 세대 HBM 경쟁에서 뒤처진 삼성전자는 HBM4를 기점으로 반전을 노리겠다는 각오를 다지고 있다. SK하이닉스·마이크론이 5세대 10나노급(1b) 공정 기반으로 HBM4를 제작 중인 반면, 삼성전자는 한 단계 앞선 6세대 10나노급(1c) 공정 기반으로 고성능을 겨냥해 메모리 1위 입지를 되찾겠다는 목표다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 올 1분기 글로벌 D램 시장 점유율은 SK하이닉스가 36.9%, 삼성전자가 34.4%, 마이크론 25%였다.
반도체 업계 한 관계자는 “기본 규격이 바뀌는 HBM4에서 반전을 이루지 못한다면 삼성전자와 SK하이닉스의 격차는 더욱 벌어질 수밖에 없다”며 “AMD도 새 설계가 적용된 MI400 시리즈로 엔비디아와 격차를 좁히려하는 만큼 삼성전자 또한 MI350 시리즈에서 이뤄진 파트너십을 공고히해야 한다”고 말했다.
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